測試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。測試工作電壓：10kV（整體設(shè)備滿足GB19517—2009標準外，局部絕緣電壓應(yīng)滿足測試需求）18）其他輔件。

測試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項功能：「開啟」電流壓降，「關(guān)閉」電流的漏電流，就可知道大功半導(dǎo)體有沒有老化的現(xiàn)象。

?可移動型儀器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結(jié)果與數(shù)值。

?適用的半導(dǎo)體元件種類多，尤其能測大功率元件。

?用戶能確實掌握新采購元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計算機控制、快速的設(shè)定參數(shù)。

?適用于實驗室和老化篩選的測試。

?操作非常簡單、速度快。

?完全計算機自動判斷、自動比對。

3.6 VCES 集射極截止電壓 0~5000V 集電極電流ICES： 0.01～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～50mA±1%±0.1mA； 集電極電壓VCES： 0-5000V±1.5%±2V； * 3.7 ICES 集射極截止電流 0.01～50mA 集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V； 500～5000V±1.5%±2V； 集電極電流ICES： 0.001～1mA±3%±0.001mA； 1～10mA±2%±0.01mA； 10～150mA±1%±0.1mA； * 3.8 VCE(sat) 飽和導(dǎo)通壓降 0.001～10V 集電極電流ICE： 0-1600A 集電極電壓VCEs： 0.001～10V±0.5%±0.001V 柵極電壓Vge： 5～40V±1%±0.01V 集電極電流ICE： 0～100A±1%±1A；凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。 100～1600A±2%±2A； * 3.9 Iges 柵極漏電流 0.01～10μA 柵極漏電流IGEs： 0.01～10μA±2%±0.005μA 柵極電壓Vge： ±1Ｖ～40V±1%±0.1V； Vce=0V； * 3.10 VF 正向特性測試 0.1～5V 二極管導(dǎo)通電壓Vf： 0.1～5V±1%±0.01V 電流IF： 0～100A±2%±1A； 100～1600A±1.5%±2A；

安全工作區(qū)測試負載電感

?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）

?瞬態(tài)電壓 大于10kV

?負載電感 配備自動切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通；自動切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。

5）補充充電回路限流電感

限制充電回路中的di/dt。

?電感量 100μH

?電流能力 6000A （5ms）

?瞬時耐壓 10kV

?工作溫度室溫～40℃

?工作濕度 <70%