●上頁所述的樣板基本可以控制到 /-5%范圍的誤差，屬于可接受的范圍，建議喜歡動手的朋友不妨試一下。應(yīng)用實例七應(yīng)用于功放的正負(fù)輸出電源欠壓式短路電壓保護(hù)控制電路說明：功放電源正負(fù)雙輸出電壓保護(hù)●由Q1構(gòu)成正電壓欠壓式短路保護(hù)電路●當(dāng)正電壓短路時，電壓降低于穩(wěn)壓二極管加在Q1驅(qū)動分壓電阻分壓后讓Q1導(dǎo)通，即可送出保護(hù)信號?！裼蒕2構(gòu)成負(fù)電壓欠壓式短路保護(hù)電路●當(dāng)負(fù)電壓短路時，電壓升高至串聯(lián)于Q2基極上穩(wěn)壓二極管，使Q2截止時，Q2集電極上的電壓信號經(jīng)過D2即可送出保護(hù)信號。

有的時候只差2、3dB的時候換一個不同品牌會有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管，這個對輻射影響也是很大的。 一個慘痛案例，一款過了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過層層排查、一個個元件對換。終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應(yīng)商做了鏡像處理。


如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機(jī)現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發(fā)一個驗證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試VCC波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點。 小公司設(shè)備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，要考慮風(fēng)路。