CMP技術(shù)的概念是1965年由Manto提出。該技術(shù)是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面，如望遠(yuǎn)鏡等。1988年IBM開始將CMP技術(shù)運(yùn)用于4MDRAM 的制造中，而自從1991年IBM將CMP成功應(yīng)用到64MDRAM 的生產(chǎn)中以后，CMP技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法，CMP通過化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用，從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點(diǎn)。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理，即用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。

金屬的化學(xué)拋光,常用、磷酸、硫酸、鹽酸等酸性溶液拋光鋁、鋁合金、鑰、鑰合金，碳鋼及不銹鋼等。有時(shí)還加人明膠或甘油之類。拋光時(shí)必須嚴(yán)格控制溶液溫度和時(shí)間。溫室從室溫到90℃，時(shí)間自數(shù)秒到數(shù)分鐘，要根據(jù)材料、溶液成分經(jīng)實(shí)驗(yàn)后才能確定值。半導(dǎo)體材料的化學(xué)拋光，如鍺和硅等半導(dǎo)體基片在機(jī)械研磨平整后，還要終用化學(xué)拋光去除表面雜質(zhì)和變質(zhì)層。常用和、硫酸混合溶液或和氫氧化銨的水溶液。

由于鋁和鋁合金的易加工性能以及其表面經(jīng)過處理后的高耐腐蝕性能，越來越多的鋁合金制品被用于民用和工業(yè)用品中。為了提高鋁合金制品的裝飾性能，需要對(duì)其表面進(jìn)行各種處理，其中化學(xué)拋光是一種賦于鋁合金表面靚麗的處理工藝。

傳統(tǒng)的三酸化學(xué)拋光液是由70％磷酸、20％硫酸、10％組成。在這種拋光液中是充當(dāng)一種緩蝕劑的作用，具有氧化性在使用時(shí)與鋁進(jìn)行反應(yīng)而被還原成棕黃色的二氧化氮?dú)怏w，二氧化氮對(duì)操作人員的呼吸系統(tǒng)會(huì)造成嚴(yán)重的傷害，同時(shí)二氧化氮也腐蝕工廠里內(nèi)的機(jī)械設(shè)備。另外由于三酸拋光作業(yè)一般在100℃左右進(jìn)行，易揮發(fā)和分解，通常的消耗速度過快，需頻繁的對(duì)其含量進(jìn)行分析和補(bǔ)加，造成鋁合金工件批次間的光澤波動(dòng)較大，也不利于自動(dòng)線連續(xù)性操作。

這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。