華科智源IGBT測試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計、制造、試驗、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。4MPa 電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波，三線制 電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz。 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則 GB19517-2004 國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

測試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導(dǎo)）、rCE（導(dǎo)通電阻）等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測試精度, 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測試精度?？梢苿有蛢x器，使用方便，測試簡單快速，立即提供測試結(jié)果與數(shù)值。

半導(dǎo)體元件全自動測試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測試時，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用； 可選購?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達(dá)2KV。半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率。

1）可調(diào)充電電壓源

用來給電容器充電，實現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動態(tài)測試、短路電流的測試需求。

?輸入電壓 380V±10%

?頻率 50HZ；

?輸出電壓 500～1500V可調(diào)（可多個電源組成）

?輸出電流 10A；

?電壓控制精度 1%

?電壓調(diào)整率 <0.1%；

?紋波電壓 <1%；

?工作溫度 室溫～40℃；

?保護(hù) 有過壓、過流、短路保護(hù)功能。