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發(fā)布時(shí)間:2021-09-30 10:55  
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光纖磁控濺射鍍膜機(jī)組成
以下內(nèi)容由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供,希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助。
設(shè)備用途:
在光纖表面鍍制納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。配有陽(yáng)極層離子源進(jìn)行清洗和輔助沉積,同時(shí)設(shè)備具有反濺射清洗功能,以提高膜的質(zhì)量和牢固度。樣品臺(tái)可鍍制多種型號(hào)光纖產(chǎn)品
系統(tǒng)主要由真空室、磁控靶、單基片加熱臺(tái)、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、電控系統(tǒng)及安裝機(jī)臺(tái)等部分組成。
小型磁控濺射儀的優(yōu)勢(shì)
設(shè)備主要優(yōu)勢(shì)
實(shí)用性:設(shè)備集成度高,結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小,可以滿(mǎn)足客戶(hù)實(shí)驗(yàn)室空間不足的苛刻條件;通過(guò)更換設(shè)備上下法蘭可以實(shí)現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換,實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用;
方便性:設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式,接線及安裝調(diào)試簡(jiǎn)單,既保證了設(shè)備使用方便又保證了設(shè)備的整潔;
高性?xún)r(jià)比:設(shè)備主要零部件采用進(jìn)口或國(guó)內(nèi)品牌,以國(guó)產(chǎn)設(shè)備的價(jià)格擁有進(jìn)口設(shè)備的配置,從而保證了設(shè)備的質(zhì)量及性能;
安全性:獨(dú)立開(kāi)發(fā)的PLC 觸摸屏智能操作系統(tǒng)在傳統(tǒng)操作系統(tǒng)的基礎(chǔ)上新具備了漏氣自檢與提示、通訊故障自檢、保養(yǎng)維護(hù)提示等功能,保證了設(shè)備的使用安全性能;
期望大家在選購(gòu)磁控濺射產(chǎn)品時(shí)多一份細(xì)心,少一份浮躁,不要錯(cuò)過(guò)細(xì)節(jié)疑問(wèn)。想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊,歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?!
磁控濺射的種類(lèi)介紹
磁控濺射包括很多種類(lèi)。各有不同工作原理和應(yīng)用對(duì)象。但有一共同點(diǎn):利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用,使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行,從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場(chǎng)作用下撞向靶面從而濺射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式,平衡式靶源鍍膜均勻,非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結(jié)合力強(qiáng)。平衡靶源多用于半導(dǎo)體光學(xué)膜,非平衡多用于磨損裝飾膜。磁控陰極按照磁場(chǎng)位形分布不同,大致可分為平衡態(tài)磁控陰極和非平衡態(tài)磁控陰極。平衡態(tài)磁控陰極內(nèi)外磁鋼的磁通量大致相等,兩極磁力線閉合于靶面,很好地將電子/等離子體約束在靶面附近,增加了碰撞幾率,提高了離化效率,因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電,靶材利用率相對(duì)較高。輝光區(qū)發(fā)射出電子、離子、中性原子、光子等,這些組成等離子體(宇宙99%以上的組成物質(zhì)為等離子體)輝光和基體之間電壓降很小。
但由于電子沿磁力線運(yùn)動(dòng)主要閉合于靶面,基片區(qū)域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術(shù),即讓磁控陰極外磁極磁通大于內(nèi)磁極,兩極磁力線在靶面不完全閉合,部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區(qū)域,從而部分電子可以沿著磁力線擴(kuò)展到基片,增加基片磁控濺射區(qū)域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡,若磁鐵靜止,其磁場(chǎng)特性決定了一般靶材利用率小于30%。為增大靶材利用率,可采用旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)。但旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)需要旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),同時(shí)濺射速率要減小。旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)多用于大型或貴重靶,如半導(dǎo)體膜濺射。并且沉降在基片表面,通過(guò)成膜過(guò)程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長(zhǎng))形成薄膜。對(duì)于小型設(shè)備和一般工業(yè)設(shè)備,多用磁場(chǎng)靜止靶源。
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磁控濺射鍍膜機(jī)的工作原理是什么?
磁控濺射原理:電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片的過(guò)程中與原子發(fā)生碰撞,電離出大量的離子和電子,電子飛向基片。離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過(guò)程中受到磁場(chǎng)洛侖磁力的影響,被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi),該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高,二次電子在磁場(chǎng)的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng),該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長(zhǎng),在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中不斷的與原子發(fā)生碰撞電離出大量的離子轟擊靶材,經(jīng)過(guò)多次碰撞后電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠(yuǎn)離靶材,沉積在基片上。磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑,改變電子的運(yùn)動(dòng)方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內(nèi)壁及靶源陽(yáng)極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽(yáng)極在同一電勢(shì)。磁場(chǎng)與電場(chǎng)的交互作用( E X B drift)使單個(gè)電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶面圓周運(yùn)動(dòng)。至于靶面圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場(chǎng)磁力線呈圓周形狀形狀。離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。磁力線分布方向不同會(huì)對(duì)成膜有很大關(guān)系。在E X B shift機(jī)理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次原理下工作。所不同的是電場(chǎng)方向,電壓電流大小而已
沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年磁控濺射產(chǎn)品行業(yè)經(jīng)驗(yàn),專(zhuān)注磁控濺射產(chǎn)品研發(fā)定制與生產(chǎn),先進(jìn)的磁控濺射產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù),建立了嚴(yán)格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系,想要更多的了解,歡迎咨詢(xún)圖片上的熱線電話?。?!