隱形縫主要是不同壁面的交叉面或與構(gòu)件的接縫，如筒倉(cāng)內(nèi)壁，筒倉(cāng)頂板底面（特別是彩鋼結(jié)構(gòu)屋頂筒倉(cāng)），內(nèi)壁筒倉(cāng)的底部錐體。對(duì)于沒有明顯裂縫的處理，可以直接使用環(huán)氧樹脂等密封涂料。當(dāng)裂縫較大時(shí)，可采用環(huán)氧樹脂加無紡布（雙布三涂工藝）或噴涂聚氨酯硬泡沫進(jìn)行處理。聚酰胺環(huán)氧樹脂是固化劑聚酰胺和乙醇作為稀釋劑和環(huán)氧樹脂的混合物。 “雙布三涂”可用于大面積隱形孔接頭的氣密處理，具有良好的氣密性，耐高溫性和耐老化性。從筒倉(cāng)內(nèi)壁的間隙清除松散的混凝土，碎屑和灰塵。當(dāng)間隙寬度大于10mm時(shí)。檢查輸油管道系統(tǒng)和輸油設(shè)備是否符合使用要求，檢查方法與儲(chǔ)存操作相同。它應(yīng)切成V形口，然后用鋼絲刷刷，然后用刷子精細(xì)去除間隙中的雜物，灰塵等，然后填入膩?zhàn)印?/p>

在實(shí)施熏蒸和空調(diào)作業(yè)之前，糧食儲(chǔ)存庫(kù)存負(fù)責(zé)人，儲(chǔ)存部門負(fù)責(zé)人和安全員應(yīng)當(dāng)按照食品熏蒸和食品的內(nèi)容進(jìn)行。空調(diào)工作單，逐項(xiàng)檢查和簽收。熏蒸或充氣后，應(yīng)定期檢查氣體濃度，必要時(shí)應(yīng)加入氮?dú)饣虻獨(dú)?，以確保殺蟲效果。熏蒸和空調(diào)操作完成后，倉(cāng)庫(kù)員和糧食儲(chǔ)存部門負(fù)責(zé)人共同簽字確認(rèn)?？刂苽}(cāng)庫(kù)中糧食的水分和雜質(zhì)含量，采用機(jī)械通風(fēng)，低溫，準(zhǔn)低溫儲(chǔ)存等技術(shù)，防止結(jié)露消除。當(dāng)貯藏谷物出現(xiàn)發(fā)霉和霉變跡象時(shí)，必須及時(shí)將臭氧引入谷物堆或局部谷物堆中，或采用磷化cum熏蒸殺滅霉菌，抑制發(fā)熱。發(fā)霉的食物應(yīng)及時(shí)清理出倉(cāng)庫(kù)。倉(cāng)庫(kù)中糧食的含水量應(yīng)控制在當(dāng)?shù)匕踩忠韵拢s質(zhì)含量應(yīng)嚴(yán)格控制在1。

對(duì)于害蟲引起的發(fā)熱，應(yīng)采取熏蒸防治措施，以防止害蟲和重新通風(fēng)，以降低谷物溫度。如果雜質(zhì)過多或顆粒堆的后熟效應(yīng)，應(yīng)去除雜質(zhì)。當(dāng)雜質(zhì)不易去除時(shí)，管道可用于冷卻和消除熱點(diǎn)。當(dāng)表面顆粒堆中有輕微的團(tuán)聚時(shí)，顆粒板打結(jié)并且松散減少。應(yīng)翻轉(zhuǎn)谷物表面，打開門窗，使其自然通風(fēng)散熱。如果沒有自然通風(fēng)，應(yīng)關(guān)閉倉(cāng)庫(kù)，應(yīng)使用內(nèi)部除濕器吸收水分，或者可以進(jìn)行封閉式熏蒸以降低谷物的溫度。如果局部糧食堆由于水分過多和結(jié)塊而加熱，應(yīng)首先采取機(jī)械溫度，倉(cāng)庫(kù)內(nèi)部應(yīng)翻倒，倉(cāng)庫(kù)應(yīng)翻轉(zhuǎn)，谷冷通風(fēng)或熏蒸措施應(yīng)為采取降低谷物溫度，然后倉(cāng)庫(kù)應(yīng)通風(fēng)或干燥。當(dāng)它在冬季儲(chǔ)存時(shí)，加熱固化油的速度很慢，局部加熱對(duì)油的質(zhì)量影響太快。取出干燥，干燥等措施，以減少水分。

當(dāng)進(jìn)入肺泡時(shí)，它迅速與血液中的血紅蛋白結(jié)合（其對(duì)血紅蛋白的親和力是氧氣和血紅蛋白的300倍），這降低了血液中氧運(yùn)輸?shù)墓δ埽瑢?dǎo)致人體組織中的缺氧癥狀。窒息。此外，當(dāng)進(jìn)入體內(nèi)的濃度很高時(shí)，它也會(huì)與細(xì)胞色素氧化酶的鐵結(jié)合，抑制組織細(xì)胞的內(nèi)部呼吸過程，并導(dǎo)致shu的神經(jīng)系統(tǒng)被缺氧損壞，從而導(dǎo)致記憶力減退，異常感知，施眠等癥狀。谷物倉(cāng)庫(kù)中的微生物，害蟲生長(zhǎng)和食物呼吸消耗氧氣并產(chǎn)生二氧化碳。在長(zhǎng)期儲(chǔ)存期間，二氧化碳的積累越來越多。如果濃度太高，人們會(huì)感到不適。在嚴(yán)重的情況下，他們可能會(huì)出現(xiàn)頭暈，疼痛和呼吸困難。當(dāng)桶式倉(cāng)庫(kù)的上層和底層之間的溫差≤10℃時(shí)，認(rèn)為是均勻的晶粒溫度。癥狀，甚至昏厥和其他條件。