1.1 設(shè)備數(shù)量 1套 * 1.2 設(shè)備功能 測試功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù) * 1.3 設(shè)備組成 設(shè)備包含硬件模塊和軟件模塊兩大部分 * 1.4 硬件模塊 設(shè)備硬件部分應(yīng)包括測試主機、測試線纜，測試夾具、控制電腦等 * 1.5 軟件模塊 設(shè)備軟件部分應(yīng)包括： 1.操作系統(tǒng)、備份、保存、遠程控制編輯、上傳、故障自檢報警等基本功能； 2. 圖形化操作界面；中/英文操作系統(tǒng) 3.輸出EXCEL、wor測試報告 *4.切換大小功率測試模塊，達到相應(yīng)測試精度 *5.可生成器件的I-V特性曲線，曲線上測試點數(shù)據(jù)可以導(dǎo)出到EXCEL表格；1開關(guān)時間測試單元技術(shù)條件 開通時間測試參數(shù)： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量：0。 *6.同一測試條件的器件的測試曲線可以在軟件內(nèi)進行對比，新測曲線可以與原測曲線進行對比； 2、設(shè)備尺寸 2.1 設(shè)備總體長度 ≤ 700 mm 2.2 設(shè)備總體寬度 ≤600mm 2.3 設(shè)備總體高度 ≤500mm

3、技術(shù)指標 * 3.1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機臺可測IGBT項目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機臺可測MOS項目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害。 200～1000mA±1%±2mA；

表格12動態(tài)參數(shù)測試部分組成

序號 組成部分 單位 數(shù)量

1 可調(diào)充電電源 套 1

2 直流電容器 個 8

3 動態(tài)測試負載電感 套 1

4 安全工作區(qū)測試負載電感 套 1

5 補充充電回路限流電感L 個 1

6 短路保護放電回路 套 1

7 正常放電回路 套 1

8 高壓大功率開關(guān) 個 5

9 尖峰抑制電容 個 1

10 主回路正向?qū)ňчl管 個 2

11 動態(tài)測試續(xù)流二極管 個 2

12 安全工作區(qū)測試續(xù)流二極管 個 3

13 被測器件旁路開關(guān) 個 1

14 工控機及操作系統(tǒng) 套 1

15 數(shù)據(jù)采集與處理單元 套 1

16 機柜及其面板 套 1

17 壓接夾具及其配套系統(tǒng) 套 1

18 加熱裝置 套 1

19 其他輔件 套 1

3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y試電路 通態(tài)壓降測試電路 ?高壓充電電源：10~1500V連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?（正本、副本）技術(shù)資料，應(yīng)至少有一份采用中文，另一份技術(shù)資料可以是英文或中文。柵極電壓輸出要求：5～25V±1%±0.01V ?集電極電流測試設(shè)備精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?測試脈沖寬度：0.1~1ms可設(shè)定 4）柵極漏電流測試電路 柵極漏電流測試電路 ?可調(diào)電源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小電流測量設(shè)備精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脈沖時間：40~100ms可設(shè)定