電池片的檢驗(yàn)

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)期購(gòu)置：天價(jià)回收硅片，電池片，初中級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)電池，太陽(yáng)能組件，太陽(yáng)能光伏板，顧客撤離，退級(jí)，庫(kù)存量，El，欠佳檢測(cè)，2手，舊，工程項(xiàng)目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗(yàn)板，負(fù)債還款，返修，太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。 

電池片的檢測(cè) 

一、檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)

1．高于800LX的直射下，間距電池片30-50cm的間距，看著方位垂直平分電池片表層觀查。 

二、檢測(cè)的方式 1、取放電池片時(shí)要輕拿小心輕放，125的電池片維持在1-2的檢驗(yàn)速率，150及156的電池片要一整片一整片的開展查驗(yàn)。 

三、檢驗(yàn)新項(xiàng)目1．色調(diào)偏色2．絨面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂縫及破孔5．彎折的6．崩邊、豁口、掉角7．印刷偏位8．TTV9．鋁珠、鋁苞10．包裝印刷圖型11．跑模12．尺寸

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1 ．頻率

射頻 PECVD 系統(tǒng)大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 RF 功率通常會(huì)改善 SiN 膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2 時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時(shí)膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對(duì)沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。

電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu)：高價(jià)回收硅片，電池片，初級(jí)多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽(yáng)能電池，光伏組件，太陽(yáng)能電池板，客戶撤退，降級(jí)，庫(kù)存，El，不良測(cè)試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實(shí)驗(yàn)板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片絲網(wǎng)印刷技術(shù)

1  引言  

隨著全球能源的日趨緊張，太陽(yáng)能以無污染、市場(chǎng)空間大等獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)受到世界各國(guó)的廣泛重視，國(guó)際上眾多大公司投入太陽(yáng)能電池研發(fā)和生產(chǎn)行業(yè)。從太陽(yáng)能獲得電力，需通過太陽(yáng)能電池進(jìn)行光電變換來實(shí)現(xiàn)，硅太陽(yáng)能電池是一種有效地吸收太陽(yáng)能輻射并使之轉(zhuǎn)化為電能的半導(dǎo)體電子器件，廣泛應(yīng)用于各種照明及發(fā)電系統(tǒng)中。

2  硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工序  

太陽(yáng)能電池原理主要是以半導(dǎo)體材料硅為基體，利用擴(kuò)散工藝在硅晶體中摻入雜質(zhì)：當(dāng)摻入硼、磷等雜質(zhì)時(shí)，硅晶體中就會(huì)存在著一個(gè)空穴，形成 n 型半導(dǎo)體；同樣，摻入磷原子以后，硅晶體中就會(huì)有一個(gè)電子，形成 p 型半導(dǎo)體， p 型半導(dǎo)體與 n 型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成 pn 結(jié)，當(dāng)太陽(yáng)光照射硅晶體后， pn 結(jié)中 n 型半導(dǎo)體的空穴往 p 型區(qū)移動(dòng)，而 p 型區(qū)中的電子往 n 型區(qū)移動(dòng)，從而形成從 n 型區(qū)到 p 型區(qū)的電流，在 pn 結(jié)中形成電勢(shì)差，這就形成了電源。

硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的主要工序，從中可以看出絲網(wǎng)印刷是生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的重要工序，其印刷質(zhì)量（厚度，寬度，膜厚一致性）影響電池片的技術(shù)指標(biāo)。