3、技術(shù)指標(biāo) * 3.1 機(jī)臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3.2 機(jī)臺可測IGBT項(xiàng)目 及測試范圍 VGE(th)柵極閾值電壓 VCES集射極截止電壓 ICES集射極截止電流 VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降 Iges柵極漏電流 VF二極管導(dǎo)通電壓 可以測5000V,1600A以下的IGBT模塊 * 3.3 機(jī)臺可測MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs 3.4 測試項(xiàng)目 測量范圍 測試條件與精度 * 3.5 VGE(th) 柵極閾值電壓 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V； 解析度：0.01V 集電極電流Ic： 10～50mA±1%±0.5mA；由于科技進(jìn)步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求,帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換。 50～200mA±1%±1mA； 200～1000mA±1%±2mA；

主要參數(shù) 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關(guān)斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關(guān)斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

14）工控機(jī)及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?機(jī)箱：4Μ 15槽上架式機(jī)箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內(nèi)存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?狀態(tài)監(jiān)測：NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機(jī)：基于Labview人機(jī)界面

?數(shù)據(jù)提?。簻y試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式；所檢測數(shù)據(jù)可傳遞至上位機(jī)處理；從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機(jī)處理后可自動列表顯示相應(yīng)測試數(shù)據(jù)；?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測部分內(nèi)容可擴(kuò)展