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發(fā)布時間:2021-09-24 03:29  
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由此實驗和理論確立了自然界中直接CP破壞的存在,成功地檢驗了標準模型的CP破壞機制,排除了超弱作用理論。該項目同時解釋了困擾粒子物理學(xué)界近五十年的所謂ΔI=1/2規(guī)則。被國際同行公認為“北京組”工作,得到國際上實驗和理論主要的認可和引用。該項目對CP對稱性自發(fā)破缺的雙黑格斯二重態(tài)模型(S2HDM)中一些重要的物理唯象進行系統(tǒng)研究,指出S2HDM可以成為CP破壞起源的一種新物理模型。
在實際的電路系統(tǒng)中,芯片的輸入阻抗很高,因此對單電阻形式來說,負載端的并聯(lián)電阻值必須與傳輸線的特征阻抗相近或相等。假定傳輸線的特征阻抗為50Ω,則R值為50Ω。如果信號的高電平為5V,則信號的靜態(tài)電流將達到100mA。由于典型的TTL或CMOS電路的驅(qū)動能力很小,這種單電阻的并聯(lián)匹配方式很少出現(xiàn)在這些電路中。
用術(shù)語說就是正確執(zhí)行指令,減少雜訊干擾,避免錯誤動作”。一旦彼此未能匹配時,則必將會有少許能量回頭朝向“發(fā)送端”反彈,進而形成反射雜訊(Noise)的煩惱。傳輸線本身的特性阻抗(Z0)被設(shè)計者訂定為28ohm時,則終端控管的接地的電阻器(Zt)也必須是28ohm