磁珠器主要特性參數(shù)

DC電阻(mohm):直流電流通過(guò)磁珠時(shí)磁珠的電阻值。

額定電流(mA):表示磁珠正常工作時(shí)允許電流。

阻抗[Z]@ 100兆赫茲(歐姆):這是指交流阻抗。

阻抗-頻率特性:描述阻抗值隨頻率變化的曲線。

電阻-頻率特性:描述電阻值隨頻率變化的曲線

感抗-頻率特性:描述感抗隨頻率變化的曲線。

鐵氧體芯片珠

尺寸:1005 (0402)1608(0603)2012(0805)

產(chǎn)品規(guī)格命名方法:

CMBM(CMBH) 1005/1608/2012 G 601標(biāo)準(zhǔn)普爾

磁珠選型

磁珠主要用于抑制電磁干擾差模噪聲。它們的DC阻抗不大，但在高頻時(shí)阻抗很高。一般來(lái)說(shuō)，600R是指在100兆赫茲測(cè)試頻率下的阻抗值。

磁珠的選擇應(yīng)遵循兩個(gè)方面:一是集成運(yùn)算放大器中的噪聲干擾；第二個(gè)是要通過(guò)的電流量。

為了大致了解噪聲的頻率和強(qiáng)度，不同磁珠的頻率阻抗曲線是不同的，應(yīng)選擇在噪聲中心頻率處磁珠阻抗較高的類型。噪聲干擾大的應(yīng)該有較高的阻抗，但不是阻抗越高越好。阻抗越高，DCR越大，有效信號(hào)損失越大。然而，通常沒有一個(gè)完善的計(jì)算和選擇基準(zhǔn)。關(guān)鍵在于具體應(yīng)用的有效性。120R-600R系列非常實(shí)用。

稍后，應(yīng)考慮通過(guò)電流。如果用于電力線部分，應(yīng)選擇額定電壓較高的規(guī)格。如果用于信號(hào)線部分，額定電壓要求通常不高。其他磁珠通常具有較高的阻抗和較低的額定電壓。磁珠的選擇應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行。例如，對(duì)于3.3V和300毫安的電源，規(guī)定3.3V不能低于3.0V。那么磁珠的DC電阻DCR應(yīng)該低于1R。在這種情況下，通常選擇0.5R來(lái)避免3位數(shù)漂移。

磁珠的特性

除了要注意磁珠的上述特性之外，在使用磁珠時(shí)還有一點(diǎn)要注意。

有些數(shù)字設(shè)備在工作過(guò)程中電流會(huì)發(fā)生變化。

一些磁珠和鐵氧體磁芯的電感在結(jié)構(gòu)上基本相同，只是磁珠使用損耗較大的鐵氧體磁芯。

因此，磁珠像感應(yīng)器一樣，抑制電流的快速變化。

因此，有必要在磁珠的下游端(即供電的芯片)接地，否則芯片可能無(wú)法正常工作[5]。

例如，輸入信號(hào)是3V的DC電壓，負(fù)載是周期性變化的電流源。模擬了兩種情況下的L-真值，即在磁珠后面電容器接地，而在磁珠后面沒有電容器接地。從模擬的L-真值結(jié)果可以看出，在電流變化期間，左邊的電壓基本保持不變，但是右邊的電壓變得非常不合理。