LED外延片生長的基本原理

LED外延片是一塊加熱至適當溫度的襯底基片，材料是半導體照明產業(yè)技術發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發(fā)展路線。

LED外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、SiC、Si)上，氣態(tài)物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。

LED外延片襯底材料是半導體照明產業(yè)技術發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的LED外延片生長技術、芯片加工技術和器件封裝技術，襯底材料決定了半導體照明技術的發(fā)展路線。

LED芯片的分類——TS芯片和AS芯片

LED芯片的分類有哪些呢？

TS芯片定義和特點

定義：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP的專i利產品。

特點：

(1)芯片工藝制作復雜，遠高于AS LED。

(2)信賴性卓i越。

(3)透明的GaP襯底，不吸收光，亮度高。

(4)應用廣泛。

AS芯片定義與特點

定義：Absorbable structure (吸收襯底)芯片;經過近四十年的發(fā)展努力，臺灣LED光電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)、生產、銷售處于成熟的階段，各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平，差距不大。

大陸芯片制造業(yè)起步較晚，其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距，在這里我們所談的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。

(1)四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規(guī)芯片要亮。

(2)信賴性優(yōu)良。

(3)應用廣泛。

LED芯片發(fā)展歷程

2003年6月中國科技部首i次提出我國發(fā)展半導體照明，標志著我國半導體照明項目正式啟動。

2006年的“十一五”將半導體照明工程作為國家的一個重大工程進行推動，在國家政策和資金的傾斜支持下，2010年我國LED產業(yè)規(guī)模超1500億元。

2011年國家發(fā)改委正式發(fā)布中國淘汰白熾燈的政府公告及路線圖，明確提出2016年將全i面禁止白熾燈的銷售。2011年至2016年為淘汰白熾燈的過渡期，同時也是LED照明行業(yè)的快速發(fā)展期。

中國LED產業(yè)起步階段，芯片主要依賴進口。近年來，在國家政府政策支持下，我國LED芯片廠商加大研發(fā)投入，國內LED芯片行業(yè)發(fā)展迅速，產能逐漸向中國大陸轉移，2017年國內LED芯片供過于求苗頭初現(xiàn)，主流芯片廠開始轉向高i端產能并進行擴產。