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碳納米管防靜電TPEE歡迎來(lái)電「在線咨詢」

發(fā)布時(shí)間:2021-08-09 21:21  

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硅是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料。長(zhǎng)期以來(lái),整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遵循摩爾定律,不斷縮小晶體管尺寸以提升其性能。而業(yè)界認(rèn)為,摩爾定律將在2020年左右達(dá)到終點(diǎn),即硅材料晶體管的尺寸將無(wú)法再縮小,芯片的性能提升已經(jīng)接近其物理極限。在此背景下,人們一直在尋找能夠替代當(dāng)前硅芯片的材料,碳納米管就是主要的研究方向之一。美國(guó)斯坦福大學(xué)、IBM公司的研究人員都在致力于該領(lǐng)域的研究。國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖近年來(lái)多次引用團(tuán)隊(duì)的工作,來(lái)證明碳納米管是一個(gè)重要的出路。




機(jī)械修飾是指借助外力對(duì)碳納米管表面進(jìn)行修飾從而優(yōu)化其性能,機(jī)械修飾方法有研磨、摩擦、震動(dòng)等。以上物理方法能夠增大碳納米管的自身內(nèi)能,使之在一定的外界條件下與一些物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),從而達(dá)到碳納米管表面改性的目的。機(jī)械修飾優(yōu)點(diǎn)是:工藝簡(jiǎn)單、快捷、成本低。缺點(diǎn)是:缺點(diǎn)是在研磨過(guò)程中不易控制,在形成晶格缺陷的同時(shí)容易導(dǎo)致碳納米管的長(zhǎng)度過(guò)短,失去原始碳納米管具有的性能。




碳納米管PC功能母粒概述

1. 碳納米管有限成份濃度為25wt%,添加2——20wt%即獲得抗靜電或?qū)щ娦Ч?

2. 塑料導(dǎo)電添加劑,賦予制品抗靜電、靜電耗散、導(dǎo)電和電磁屏蔽等性能;

3. 預(yù)分散母粒,選擇合適的基體,具有優(yōu)異的分散效果;母?;旌线^(guò)程簡(jiǎn)單、潔凈且易操作;

4. 力學(xué)性能好,特別對(duì)材料的力學(xué)性能保持率高,如韌性和抗沖;制品表面耐磨、耐刮擦,表面光潔性好;

5. 材料經(jīng)再生和回收用時(shí),導(dǎo)電性能幾乎保持不變。