二,幾種常見的電位器

1. 線繞電位器(型號 W

電位器是利用電阻合金線在絕緣骨架上繞制而成的,常用于精密電位器和大功率 電位器.國內精密線繞電位器的精度可達 0.1%,大功率電位器的功率可達 100W 以上.

2. 合金碳膜電位器(型號 WH)

這種電位器是在絕緣基體上涂復一層合成碳膜,經(jīng)加溫聚合后形成碳膜片,再與其它

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零件組合而成. 這類電位器阻值分辨率高,變化連續(xù),范圍寬(100~5M) ,功率一般有

0.125W, 0.5W,1W,2W 等.精度較差,一般為±20%.耐溫,耐潮性差,使用壽命較低.但由于 它成本低,因而廣泛用于家用電器產品中,如收音機,電視機等.阻值變化規(guī)律分線性和

非線性兩種,軸端形式分帶鎖緊與不帶鎖緊兩種.

3. 有機實芯電位器(型號 WS)

由導電體與有機材料和熱固性樹脂制成電阻粉,在基座上通過熱壓形式實芯電阻體. 這類電位器阻值范圍一般在 47~4.7M 之間,功率多在 0.25~2W 之間,精度有±5%,± 10%,20%幾種.這類電位器結構簡單,體積小,壽命長,可靠性好.缺點是噪聲大,啟 動力矩大,因而多用于對可靠性要求較高的電子儀表中.這類電位器有帶鎖緊與不帶鎖緊 兩種,軸端尺寸與形狀有不同規(guī)格.

4. 多圈電位器

這是一種精密電位器,它有帶指針,不帶指針等形式,阻值調整精度高,調整圈數(shù)有 5 圈,10 圈,可達 40 圈.在阻值要求大范圍內進行微量調整時,可選用多圈電位器.

2.元器件方面

?研制各種適合于厚膜電路組裝的有源和

  無源器件

?研制和發(fā)展厚膜敏感器件

3.電路方面：向超大規(guī)模方向發(fā)展

?利用厚膜的多層布線技術和高密度組裝技術，提高電路的集成度。

4.厚膜技術方面

?研究和發(fā)展各種自動化高密度組裝技術（突點技術、SMT技術）、焊接技術（激光微焊、電子束焊接）。

?發(fā)展厚膜與其他各種技術的組合技術

   厚膜技術、薄膜技術、半導體微細加工技術、CAD、CAM、CAT

5.多芯片模塊（MCM）—混合微電路的新品種

   封裝密度增加一個數(shù)量級、性能提高一個

數(shù)量級

  MCM-D—通過薄膜淀積金屬和多層介記載加工的多層基片。

  MCM-C—通過陶瓷與金屬共燒加工的多層基片。（HTCC、LTCC）

例1－6型號為KP100－3、維持電流IH＝3mA的晶閘管，使用在圖1－6所示的三個電路中是否合理？為什么（不考慮電壓、電流裕量）？

圖1－6  例1－6圖

解：（a）圖的目的是鞏固維持電流和擎住電流概念，擎住電流一般為維持電流的數(shù)倍。本題給定晶閘管的維持電流IH＝3mA，那么擎住電流必然是十幾毫安，而圖中數(shù)據(jù)表明，晶閘管即使被觸發(fā)導通，陽極電流為100V/50KΩ＝3 mA，遠小于擎住電流，晶閘管不可能導通，故不合理。電位器單位面積允許承受的功率不等，阻值變化小的一端允許承受的功率較大。

（b）圖主要是加強對晶閘管型號的含義及額定電壓、額定電流的理解。

本圖所給的晶閘管額定電壓為300A、額定電流100A。圖中數(shù)據(jù)表明，晶閘管可能承受的電壓為311V，大于管子的額定電壓，故不合理。

（c）圖主要是加強對晶閘管型號的含義及額定電壓、額定電流的理解。

晶閘管可能通過的電流有效值為150A，小于晶閘管的額定電流有效值1.57×100＝157A，晶閘管可能承受的電壓150V，小于晶閘管的額定電壓300V，在不考慮電壓、電流裕量的前提下，可以正常工作，故合理。

v1)光致抗蝕劑：用光化學方法獲得的，能抵抗住某種蝕刻液或電鍍溶液浸蝕

的感光材料。

v

2)正性光致抗蝕劑：光照射部分分解(或軟化)，曝光顯影之后，能把生產用照相底版上透

明        的部分從板面上除去。

3)負性光致抗蝕劑：光照射部分聚合(或交聯(lián))，曝光顯影之后，能把生產用照相底版上透

明的部分保留在板面上。

4)光致抗蝕劑的分類：

按用途分為耐蝕刻抗蝕劑和耐電鍍抗蝕劑。網(wǎng)絡排阻,印刷,電子尺電阻板,厚膜電容,噴碼機不銹鋼加熱片,濕敏電阻片,叉車踏板傳感器電阻片,單列直插式網(wǎng)絡排容,FR4 電阻板, 無接觸式電阻傳感器,印刷加工,厚膜芯片.游戲機控制開關

按顯影類型分為全水溶性抗蝕劑、半水溶性抗蝕劑和溶劑性抗蝕劑。

按物理狀態(tài)分為液體抗蝕劑和干膜抗蝕劑

按感光類型分為正性抗蝕劑和負性抗蝕劑。