四氟化碳的用途與作用 :

 四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來(lái)源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳在通常環(huán)境下是相對(duì)惰性的，在不通風(fēng)的地方會(huì)引起窒息。在射頻等離子體環(huán)境中，氟自由基表現(xiàn)為典型的三氟化碳或二氟化碳的形式。高純度的四氟化碳能很好的控制加工過(guò)程，使尺寸和形狀得到更好的控制，這不同于其他的鹵烴遇到空氣或氧氣時(shí)不利于各種特殊的控制（如半導(dǎo)體各項(xiàng)異性控制）。

由碳與氟反應(yīng)，或一氧1化碳與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，或二氟二氯甲1烷與氟化1氫反應(yīng)，或四氯1化碳與氟化銀反應(yīng)，或四氯1化碳與氟化1氫反應(yīng)，都能生成四氟化碳。將其通過(guò)裝有氫1氧化鈉溶液的洗氣瓶除去四氟1化硅，隨后通過(guò)硅膠和五氧1化二磷干燥塔得到終產(chǎn)品。由于化學(xué)穩(wěn)定性極強(qiáng)，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。以活性炭與氟為原料經(jīng)氟化反應(yīng)制備。在裝有活性炭的反應(yīng)爐中，緩緩?fù)ㄈ敫邼夥鷼?，并通過(guò)加熱器加熱、供氟速率和反應(yīng)爐冷卻控制反應(yīng)溫度。

四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來(lái)源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng)，因此分離的可能性比較低。四氟化碳在900℃時(shí)，不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng)，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時(shí)，會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。

四氟化碳有時(shí)會(huì)用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造，以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。四氯1化碳與氟化1氫的反應(yīng)在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進(jìn)行，反應(yīng)后的氣體經(jīng)水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過(guò)冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經(jīng)精餾而得成品。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長(zhǎng)的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。