湖北鄂動機(jī)電設(shè)備制造有限公司專業(yè)從事研發(fā)生產(chǎn)銷售高低壓成套電氣公司；高壓固態(tài)軟啟動只是產(chǎn)品中之一，高壓固態(tài)軟啟動器主要用于水泵、風(fēng)機(jī)、破碎機(jī)、紙廠行業(yè)高壓電動機(jī)，目前湖北鄂動機(jī)電生產(chǎn)的固態(tài)軟啟動器可以啟動10000KW一下的電動機(jī)。啟動時間可調(diào)，也可以頻繁的啟動，高壓固態(tài)啟動原理跟高壓變頻器差不多，都是降ya啟動，可以在電網(wǎng)電壓低的情況下正常啟動，湖北鄂動機(jī)電配套的有水阻軟起動柜，3kv-10kv高壓開關(guān)柜，高壓電機(jī)控制柜，高壓電容補(bǔ)償裝置，滑環(huán)電機(jī)專用進(jìn)相機(jī)、進(jìn)相器，低壓電機(jī)軟啟動器。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。鄂動設(shè)備產(chǎn)品銷往國內(nèi)大小工礦企業(yè)以及紡織廠、水利、房地產(chǎn)等領(lǐng)域。

高壓固態(tài)是怎樣停車的 鄂動機(jī)電公司

當(dāng)軟停車時間(1M07)和剎車時間(1M09)同時設(shè)置為零時為自由停車模式，軟起動器接到停機(jī)指令后，首先旁路接觸器的控制繼電器并隨即主電路晶閘管的輸出，電動機(jī)依負(fù)載慣性自由停機(jī)。

軟停車

當(dāng)軟停車時間設(shè)定不為零時，在全壓狀態(tài)下停車則為軟停車，在該方式下停機(jī)，軟起動器首先斷開旁路接觸器，軟起動器的輸出電壓在設(shè)定的軟停車時間內(nèi)逐漸降至所設(shè)定的軟停終了電壓值，軟停車過程結(jié)束起動器轉(zhuǎn)為剎車制動狀態(tài)(剎車時間不為零)或自由停止。

高壓固態(tài)軟啟動器優(yōu)點(diǎn)在哪/湖北動機(jī)電公司

湖北鄂動機(jī)電高壓固態(tài)軟啟動器有多種完善的保護(hù)功能:短路、過流、限流、過壓、欠壓、過負(fù)載、缺相、三相電流不平衡、過熱、通信故障等各種故障狀態(tài)報警及時處理保護(hù)保護(hù)軟起動器及電機(jī)。

任意可選的多種軟起動功能，包括標(biāo)準(zhǔn)軟起、恒流軟起動、雙電壓斜波起動，帶突跳功能軟起動等。

具有體積小，功耗低，高靈敏度、無觸點(diǎn)、安裝方便等特點(diǎn)。

強(qiáng)弱電間隔離完善:系統(tǒng)強(qiáng)弱電間采用高抗干擾的數(shù)字式觸發(fā)器與光纖隔離或CT隔離傳輸技術(shù)配套，避免了強(qiáng)弱電間相互干擾，使得裝置的高壓性能與低電壓裝置一樣安全可靠。

                                               高壓固態(tài)軟啟動使用晶閘管質(zhì)量咋樣

 高壓固態(tài)軟啟動器雙向可控硅的工作原理1.可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個PN結(jié)，分析原理時，可 以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成   當(dāng)陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電 極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。4供方每年派技術(shù)人員到現(xiàn)場免費(fèi)進(jìn)行次現(xiàn)場設(shè)備檢查和維護(hù)技術(shù)服務(wù)。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環(huán)的結(jié)果，兩個管子的電流劇增，可控硅 使飽和導(dǎo)通。 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起 觸發(fā)作用，沒有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。  由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 2,觸發(fā)導(dǎo)通  在控制極G上加入正向電壓時因J3正偏，P2區(qū)的空穴時入N2區(qū)，N2區(qū)的電子進(jìn)入P2區(qū)，形成觸發(fā)電流IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋?zhàn)饔玫幕A(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性左移越快。