電光調(diào)制器

電光調(diào)制器是利用某些晶體材料在外加電場(chǎng)的作用下所產(chǎn)生的電光效應(yīng)而制成的器件。常用的有兩種方式：一種是加在晶體上的電場(chǎng)方向與通光方向平行，稱(chēng)縱向電光效應(yīng)（也稱(chēng)為縱向運(yùn)用）；另一種是通光方向與所加電場(chǎng)方向相垂直，稱(chēng)橫向電光效應(yīng)（也稱(chēng)為橫向運(yùn)用）。5Gb/s的鈮酸鋰調(diào)制器的半波電壓(Vp)較高，故都需要用驅(qū)動(dòng)器來(lái)推動(dòng)調(diào)制器。

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電光調(diào)制器系列

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850nm電光強(qiáng)度調(diào)制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強(qiáng)度調(diào)制器采用先進(jìn)的質(zhì)子交換工藝，具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓等特點(diǎn)，主要用于空間光通信系統(tǒng)、銫原子時(shí)間基準(zhǔn)、脈沖發(fā)生器等領(lǐng)域。

1064nm雙M-Z串聯(lián)強(qiáng)度調(diào)制器     

LiNbO3強(qiáng)度調(diào)制器具有良好的電光效應(yīng)，廣泛應(yīng)用于高速光通信系統(tǒng)、激光傳感和ROF系統(tǒng)中?；贛Z推拉結(jié)構(gòu)和X切設(shè)計(jì)的KG-AM系列具有穩(wěn)定的理化性能，可應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)和工業(yè)系統(tǒng)。

高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器基于M-Z推挽結(jié)構(gòu)，具有較低的半波電壓和穩(wěn)定的物理化學(xué)特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應(yīng)速率，因而被廣泛的應(yīng)用于光脈沖發(fā)生器、激光雷達(dá)、光纖傳感等領(lǐng)域。

鈮酸鋰電光相位調(diào)制器具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓、高損傷光功率等特點(diǎn)，主要用于高速光通信系統(tǒng)中光啁啾控制，相干通信系統(tǒng)中的相移，ROF系統(tǒng)中邊帶的產(chǎn)生以及減小模擬光纖通信系統(tǒng)中的受激布理淵散射(SBS)等領(lǐng)域。