脈沖激光沉積選件介紹

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積，我們公司堅(jiān)持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽(yù)，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

連續(xù)組成擴(kuò)展(CCS )

常規(guī)沉積條件下的組合合成

組合合成是一種基于脈沖激光沉積的、組合材料合成的新型連續(xù)組成擴(kuò)展(CCS) 方法。脈沖激光沉積系統(tǒng)特點(diǎn)及優(yōu)勢可根據(jù)客戶需求定制產(chǎn)品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術(shù)支持。PLD-CCS 系統(tǒng)能以連續(xù)的方式改變材料，沒有必要使用掩模?？梢栽诿恳淮窝h(huán)中，以小于一個(gè)單分子層的速率，快速連續(xù)沉積每一種組份，其結(jié)果是基本等同于共沉積法。該法無需在沉積后進(jìn)行退火促進(jìn)內(nèi)部擴(kuò)散或結(jié)晶，對于生長溫度是關(guān)鍵參數(shù)的研究或者被沉積的材料或基片不適合高溫退火的情況是有用的。

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD 采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，

維持RHEED 槍的工作壓力，同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí)，設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。

以上內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！