四氟化碳物理性質 :

   熔點-183.6℃，

   分子式是CF4,

　　沸點-128.1℃，

　　液體密度(-130℃)1.613g/cm3，

　　液體折光率(-173℃)1.515，

　　固體轉變點72.2K，

　　臨界溫度-45.67℃，

　　臨界壓力3.73MPa，

   蒸氣壓（-150.7℃）13.33kPa

  介電常數（25℃，0.5MPa）1.0006

　　臨界密度：7.1dm3/mol

　　標準摩爾自由能：-929.84 kJ/mol

　　標準摩爾生成自由能：-887.41 kJ/mol

   危險性類別：第2.2類不燃氣體

四氟化1碳一般認為是惰性低毒物質，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進行，反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體，再通過冷凍，用硅膠除去氣體中的水分經精餾而得成品。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內通入氟氣，氟氣先和單質硅反應。

四氟化碳在不同的大氣壓下呈現的狀態(tài)是不同的，就像氧氣在101kPa時會呈現出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發(fā)揮性較高.四氟化碳一般認為是惰性低毒物質，在高濃度下是窒息劑，其毒性不及四1氯化碳。產品經除塵，堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質、再經脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾，通過控制精餾溫度，除去O2、N2、H2，得到高純CF4。

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現的狀態(tài)是不同的，就像氧氣在101kPa時會呈現出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發(fā)揮性較高.預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內通入氟氣，氟氣先和單質硅反應。