很多實驗研究發(fā)現(xiàn)，鈍化層或底層、濕氣滲透和/或裸片邊緣離層是晶圓級封裝常見的熱機(jī)械失效模式。此外，裸片邊緣是一個特別敏感的區(qū)域，我們必須給予更多的關(guān)注。事實上，扇入型封裝裸片是暴露于空氣中的（裸片周圍沒有模壓復(fù)合物覆蓋），容易被化學(xué)物質(zhì)污染或發(fā)生現(xiàn)象。所涉及的原因很多，例如晶圓切割工序未經(jīng)優(yōu)化，密封環(huán)結(jié)構(gòu)缺陷(密封環(huán)是指裸片四周的金屬花紋，起到機(jī)械和化學(xué)防護(hù)作用)。此外，由于焊球非?？拷g化層，焊球工序與線路后端?？赡軙嗷ビ绊憽?%，總封裝市場在2019-2025年將增長4%，分別達(dá)到430億美元和850億美元。

封裝測試的競爭力：
由于封測是半導(dǎo)體制造的后道工序，所以并非是產(chǎn)業(yè)鏈的核心。其技術(shù)可分為傳統(tǒng)封裝和先進(jìn)封裝，氣派科技，采用的是傳統(tǒng)封裝技術(shù)。

先進(jìn)封裝技術(shù)的特征是封裝小型化、模型化、高密度和高可靠，主要用于計算和通信領(lǐng)域的邏輯器件和存儲芯片的封測，進(jìn)一步滲透到移動領(lǐng)域的模擬和射頻市場，成長空間大，是未來技術(shù)發(fā)展的主要方向。

Single-ended此封裝形式的特點是引腳全部在一邊，而且引腳的數(shù)量通常比較少。它又可分為：導(dǎo)熱型，像常用的功率三極管，只有三個引腳排成一排，其上面有一個大的散熱片。對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護(hù)，塑封之后，還要進(jìn)行一系列操作，如后固化、切筋和成型、電鍍以及打印等工藝。就封裝形式而言，它屬于已有封裝形式的派生品，因此可直接按照現(xiàn)有封裝形式分為四類：框架封裝形式、硬質(zhì)基板封裝形式、軟質(zhì)基板封裝形式和芯片級封裝。其次，臺灣可獲得相應(yīng)的人才，從而專注于附加值更高的產(chǎn)品研發(fā)工作。

WLCSP此封裝不同于傳統(tǒng)的先切割晶圓，再組裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測試，然后再切割。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程如下：由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導(dǎo)體封裝測試是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。Single-ended此封裝形式的特點是引腳全部在一邊，而且引腳的數(shù)量通常比較少。它又可分為：導(dǎo)熱型，像常用的功率三極管，只有三個引腳排成一排，其上面有一個大的散熱片。封裝測試的競爭力： 由于封測是半導(dǎo)體制造的后道工序，所以并非是產(chǎn)業(yè)鏈的核心。