四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子燭刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純陽氧氣的混合體，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的燭刻。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。由于化學穩(wěn)定性極強，CF4還可以用于金屬冶煉和塑料行業(yè)等。

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。

四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學鍵的鍵能及鍵長有關。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結構，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1 nm), β = 118.73° 。四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產生有毒氟化物。