華科智源IGBT電參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V。測(cè)試過程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國(guó)深圳，核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀。測(cè)試過程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

測(cè)量目的：對(duì)模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測(cè), 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。3、集電極電壓：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、柵極驅(qū)動(dòng)電流：滿足5A以下測(cè)試要求。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會(huì)隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會(huì)逐漸劣化。因此，定期檢測(cè)可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個(gè)模塊組成，由于個(gè)體差異，大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異。因此，測(cè)量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。

華科智源IGBT測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則 GB19517-2004 國(guó)家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

目的和用途 該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。1電壓源：220VAC±10%，50Hz/60Hz20ARMS。 1.2 測(cè)試對(duì)象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊 2.測(cè)試參數(shù)及指標(biāo) 2.1開關(guān)時(shí)間測(cè)試單元技術(shù)條件 開通時(shí)間測(cè)試參數(shù)： 1、開通時(shí)間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時(shí)間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時(shí)間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測(cè)量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW