電池片的檢驗

電池片的檢驗

一十三、印刷圖型 

主柵線： 

A級：主柵線容許有輕度斷開、缺少、歪曲、突顯，斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，不容許有斷開，缺少、歪曲及其突顯。 

B級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，容許有斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

C級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm， 

副柵線： 

A級：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開，斷掉總數(shù)≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點；不容許有掉色狀況。 

B級：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的10%. 

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

背電場：

A 級：

背電場完整，厚薄均勻，允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

新的標準：背電場完整，厚薄均勻，不允許有缺失

B 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 30% 。

新的標準：允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 15% 。

C 級：

允許有缺失，缺失面積不超過背電場總面積的 10% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

新的標準：缺失面積不超過背電場總面積的 5% ，變色面積不超過背電場面積的 50% 。

粗點：

粗點寬度≤ 0.18mm ，個數(shù)小于 2 個

新的標準：不允許有粗點

粗點寬度≤ 0.25mm ，個數(shù)小于 5 個

新的標準：允許有粗點，粗點寬度≤ 0.18mm ，個數(shù)小于 2 個

粗點寬度≤ 0.3mm ，個數(shù)小于 8 個

新的標準：當主柵線或副柵線有明顯粗細不均時，應用刻度顯微鏡進行查檢。

電池片的制作工藝

參數(shù)相互關系

1. 壓力與間距：壓力越大時，間距也大；因為壓力大時，與網(wǎng)板接觸的地方凸出來也多，間距小的話，硅片承受的壓力加大，碎片的概率會加大。兩個參數(shù)當中的一個改變 ,  另外一個不改 ,  就可能加大硅片碎的可能性或影響印刷質(zhì)量。  

2. 印刷速度影響到產(chǎn)能 ,  同時也影響到印刷到硅片漿料的多少。

印刷參數(shù)的調(diào)整

1. 先把印刷速度改小，以方便在調(diào)試時能很好的觀察（如印刷速度為 50mm ) 。   完全松開鎖定螺絲，并保證和回左右的固定螺絲未鎖，能自由活動。

2. 先設定印刷間距：印刷間距以漿料能很好的印刷到硅片為宜，無粘片和虛印。 (  推薦為： 1.5 0.3)

3. 在間距定下后，設定印刷壓力。壓力由小到大慢慢加，加到在印刷時漿料能收干凈就可以。

參數(shù)的調(diào)整

4. 在壓力和間距設定好后，印刷一片看看印刷是否合格，否則再作微調(diào)。（印刷速度未改）

5. 合格后，   慢慢朝下擰鎖定螺絲，在感覺到鎖定螺絲剛碰到東西時，把鎖定螺絲鎖住。這個動作相當于找到了一個刮膠下降的一個限位，保證在壓力加大時不會再下壓。

6. 然后加快印刷速度，并測印刷重量，如過大，則減速，過小，則加速。（推薦 170mm ) 。

電池片流程

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片流程

1、   車間段位構(gòu)成

WHQ ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的質(zhì)量決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對硅片的來料檢測，主要是包括厚度， TTV ，電阻率，外觀 （破片，缺角，孔洞，臟污）

需注意 :

1)   切割方向會厚薄不均，放片時需 180 度錯落放置以保證放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細 柵方向，預防水波紋出現(xiàn)。

2)   線痕：   單線痕

密集線痕

3 ）原硅片因切割后因有清洗所以會有粘度導致原硅片粘連，放置時需輕微搖晃。

制絨： 目的：去除表面損傷層，對表面進行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。

減重 ，活性不均勻會影響到后面 PEVCD 工序使硅片出現(xiàn)問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時間為兩小時，兩小時內(nèi)要及時送入下一工序。