光電探測(cè)器的發(fā)展現(xiàn)狀

現(xiàn)在，光電探測(cè)器的發(fā)展主要集中在紅外，已開始研制第三代紅外探測(cè)器，并提出了第三代紅外熱像儀的概念，主要是雙色或三色、高分辨率、制冷型熱像儀和智能焦平面陣列探測(cè)器。因此紅外探測(cè)技術(shù)較長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展趨勢(shì)是開發(fā)出第三代。

由于紅外光電探測(cè)器技術(shù)的不斷完善，從光電探測(cè)器芯片上提升技術(shù)已相當(dāng)困難。為進(jìn)一步提，人們現(xiàn)在把注意力轉(zhuǎn)到紅外光電探測(cè)器的信號(hào)讀出集成電路(ROIC)上。隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)和集成電路的發(fā)展，ROIC已有很大的進(jìn)展，中規(guī)模的紅外焦平面陣列和相應(yīng)的讀出電路在20世紀(jì)90年代已形成生產(chǎn)規(guī)模。

現(xiàn)在發(fā)達(dá)國(guó)家正在研制用于大規(guī)模焦平面陣列(三代器件)、有多種功能的ROIC和智能化焦平面陣列。智能化焦平面陣列是片上處理系統(tǒng)，在光敏芯片上模仿動(dòng)物的功能，200mhz光電探測(cè)器價(jià)格，對(duì)光-電轉(zhuǎn)換后的信號(hào)作預(yù)處理，然后再輸出數(shù)據(jù)。這個(gè)過程雖然不屬于直接接收光信號(hào)的過程，但對(duì)光電探測(cè)器的綜合性能有極大影響。

光電探測(cè)器的行情

隨著現(xiàn)代化的發(fā)展，光電子已經(jīng)成為我們生活中不可缺少的一部分，導(dǎo)致光電傳感器行業(yè)發(fā)展迅速，中國(guó)傳感器的市場(chǎng)近幾年一直持續(xù)增長(zhǎng)，截至2017年上半年，國(guó)內(nèi)傳感器共分10大類、24小類、6000多個(gè)品種。在2016年底，其工業(yè)總產(chǎn)值達(dá)到51億元。我國(guó)光電傳感器將保持高速增長(zhǎng)趨勢(shì)，預(yù)測(cè)未來幾年，以年平均復(fù)合增長(zhǎng)率30%計(jì)算，到2022年，我國(guó)光電傳感器行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到208億元。

目前我國(guó)處于工業(yè)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)的重要發(fā)展階段，未來工業(yè)制造業(yè)將逐漸向高處發(fā)展，這使得傳感器等自動(dòng)化相關(guān)產(chǎn)品迎來良好的發(fā)展機(jī)會(huì)。光電傳感器作為基礎(chǔ)也是應(yīng)用為廣泛的傳感器，也同樣迎來了光輝的未來。光電傳感器在食品飲料生產(chǎn)線、包裝機(jī)械、機(jī)床、電子半導(dǎo)體、立體倉(cāng)庫(kù)、安檢設(shè)施等多個(gè)領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。時(shí)代在進(jìn)步，社會(huì)在發(fā)展，光電探測(cè)器價(jià)格，光電子已經(jīng)變成人們生活中不可缺少的一部分，近年來光電傳感器的發(fā)展也十分迅速。

光電探測(cè)器的發(fā)展歷史

起初用來探測(cè)可見光輻射和紅外輻射的光電探測(cè)器是熱探測(cè)器。其中，熱電偶早在1826年就已發(fā)明出來。1880年又發(fā)明了金屬薄膜測(cè)輻射計(jì)。1947年制成了金屬氧化物熱敏電阻測(cè)輻射熱計(jì)。1947年又發(fā)明了氣動(dòng)探測(cè)器。經(jīng)過多年的改進(jìn)和發(fā)展，這些光電探測(cè)器日趨完善，性能也有了較大的改進(jìn)和提高。

從20世紀(jì)50年代的時(shí)候開始人們對(duì)熱釋電探測(cè)器進(jìn)行了一系列研究工作，發(fā)現(xiàn)它具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，一度使這個(gè)領(lǐng)域研究很活躍。但是，與光子探測(cè)器相比，這些光電探測(cè)器的探測(cè)率仍較低，時(shí)間常數(shù)也較大。

應(yīng)用廣泛的光子探測(cè)器，除了發(fā)展較早、技術(shù)上也較成熟、響應(yīng)波長(zhǎng)從紫光到近紅外的光電倍增管以外，硅和鍺材料制作的光電二極管、鉛錫、Ⅲ～Ⅴ族化合物、鍺摻雜等光電探測(cè)器，目前均已達(dá)到相當(dāng)成熟的階段，主要性能已接近理論極限。

1970年以后又出現(xiàn)了一種利用光子牽引效應(yīng)制成的光子牽引探測(cè)器。其主要用于CO2激光的探測(cè)。八十年代中期，出現(xiàn)了利用摻雜的GaAs/AlGaAs材料、基于導(dǎo)帶躍遷的新型光探測(cè)器——阱探測(cè)器。這種器件工作于8～12μm波段，工作溫度為77K。

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