透明MgO單晶的熔點(diǎn)高達(dá)2800℃,是無(wú)殘留氣孔的高致密性材料。因其光透過率、折射率、熱導(dǎo)率、電絕緣性、化學(xué)穩(wěn)定性、機(jī)械強(qiáng)度等方面性能優(yōu)異,具有廣泛的用途。氧化鎂單晶在許多高技術(shù)領(lǐng)域的研究和生產(chǎn)中有著獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，其中，大尺寸氧化鎂單晶體以及以此為基礎(chǔ)做成的高溫超導(dǎo)基片及雙面膜為參與國(guó)際高科技竟?fàn)幍年P(guān)鍵產(chǎn)品。

在高溫超導(dǎo)領(lǐng)域，氧化鎂晶體作為薄膜生長(zhǎng)基片和半導(dǎo)體材料的襯底駐基片同其它材料相比(如金剛石、白藍(lán)寶石等)具有明顯的價(jià)格優(yōu)勢(shì)，且性能良好。氧化鎂的熔點(diǎn)在2800°C以上，沸點(diǎn)為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對(duì)原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。其次，要得到生長(zhǎng)好、大尺寸的高質(zhì)量晶體，整個(gè)冶煉過程非常耗時(shí)耗能，將長(zhǎng)達(dá)幾十個(gè)小時(shí)。

氧化鎂晶體的雙折射特性

可集成太赫茲波帶片和偏振片是重要的太赫茲光學(xué)元器件。由傳統(tǒng)的石英晶體及液晶等材料制作的太赫茲波帶片和偏振片由于其對(duì)太赫茲光響應(yīng)度低并難于集成而難以應(yīng)用于太赫茲集成光學(xué)領(lǐng)域。為了尋找用以制備可集成太赫茲偏振元件的材料，本工作應(yīng)用太赫茲焦平面成像方法研究了晶向的氧化鎂晶體對(duì)太赫茲波段圓偏振光偏振態(tài)的影響。

 含氧化鎂80%(重量)以上的粗原料用無(wú)機(jī)酸(硫酸、鹽酸)以摩爾比1:2的比例進(jìn)行溶解,制成無(wú)機(jī)酸的鎂鹽。氧化鎂的熔點(diǎn)在2800°C以上，沸點(diǎn)為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對(duì)原料的選擇和控制要求非常嚴(yán)格。在氧化鎂單晶基片上制造的高溫超導(dǎo)薄膜，其物理性能穩(wěn)定、質(zhì)量?jī)?yōu)越，在眾多高溫超導(dǎo)基片中，大有成為不可取代的選擇。