國內(nèi)電池回收相關(guān)政策

振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊，工程項目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結(jié)晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗板，負(fù)債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。

中國鋰電池回收有關(guān)現(xiàn)行政策 

在我國驅(qū)動力鋰電池回收上坡過晚，鋰電池回收現(xiàn)行政策和規(guī)范尚不足健全，一部分處在征詢建議環(huán)節(jié)。 

2012年7月，國務(wù)下發(fā)《環(huán)保節(jié)能與新能源車發(fā)展趨勢產(chǎn)業(yè)發(fā)展》中明確提出：①奮力到2015年EV PHEV總計銷售量達(dá)50萬億元，到2020年總計產(chǎn)供銷超500萬億元；②提升動力鋰電池梯階運用和收購管理方法。2014年7月《有關(guān)加速新能源車應(yīng)用推廣的實施意見》中強調(diào)：制訂鋰電池回收現(xiàn)行政策、完善鋰電池回收管理體系。2015年5月《中國制造業(yè)2025》上將“綠色發(fā)展理念”做為發(fā)展戰(zhàn)略指導(dǎo)方針，發(fā)展規(guī)劃中提及：工業(yè)生產(chǎn)廢棄物回收使用率至2015年規(guī)定超過65%，2020年73%，2025年則為79%。 

2016年1月《純電動車動力電池綜合利用技術(shù)性現(xiàn)行政策》中明確充電電池生產(chǎn)制造實施編號制、創(chuàng)建可回朔管理體系；確立選用經(jīng)營者義務(wù)拓寬規(guī)章制度，充電電池制造商擔(dān)負(fù)鋰電池回收的關(guān)鍵義務(wù)。2016年12月《新能源車動力電池綜合利用管理方法暫行規(guī)定（征求意見）》中談及：為有利于充電電池的再次收購，在充電電池設(shè)計階段要遵照易拆裝標(biāo)準(zhǔn)，加工過程中務(wù)必噴碼標(biāo)識；除此之外管理條例中還涉及充電電池的市場銷售、運用、存儲及運送中與廢舊電池回收的多種多樣要求，是現(xiàn)階段比較詳盡的一整套提議。

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務(wù)償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1. 溫度

溫度 T 越高，擴(kuò)散系數(shù) D 越大，擴(kuò)散速度越快。

2. 時間

對于恒定源：時間 t 越長結(jié)深越深，但表面濃度不變。

對于限定源：時間 t 越長結(jié)深越深，表面濃度越小。

3. 濃度

決定濃度是因素：氮氣流量、源溫。

表面濃度越大，擴(kuò)散速度越快。

4. 第三組元

主要是摻硼量對擴(kuò)散的影響，雜質(zhì)增強擴(kuò)散機制。在二元合金中加入第三元素時，擴(kuò)散系數(shù)也會發(fā)生變化。摻硼量越大，擴(kuò)散速率越快。即電阻率越小，越容易擴(kuò)散。

控制點

方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。

方塊電阻： 表面為正方形的半導(dǎo)體薄層在電流方向所呈現(xiàn)的電阻。 R= 電阻率 *L/S, 對方塊硅片，長度等于寬度，則 R= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ Ns*Xj) Ns ：電化學(xué)濃度， Xj ：擴(kuò)散結(jié)深。

1. 通過測試數(shù)據(jù)監(jiān)控生產(chǎn)電池片的效率及暗電流等參數(shù)是否正常。

2. 對生產(chǎn)的電池片進(jìn)行分檔，將相同電性能的電池片分在一起以便做成組件。

標(biāo)準(zhǔn)測試條件

1. 光源輻照度： 1000W/m2 。  

2. 測試溫度：   25℃ 。

3.AM1.5地面太陽光譜輻照度分布。

測試參數(shù)

1. 開路電壓

在一定的溫度和輻照度條件下，太陽電池在空載情況下的端電壓，用 V oc 表示， PN 結(jié)開路，即 I=0 ，此時 PN 結(jié)兩端的電壓即為開路電壓。將I=0 代入伏安特性方程得：

KTln(I L /I S 1)/q 。太陽電池的開路電壓與電池面積大小無關(guān)。太陽電池的開路電壓與入射光譜輻照度的對數(shù)成正比。

電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異常現(xiàn)象 

4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時，各向異性系數(shù)縮小，絨面會愈來愈差，類似打磨拋光?？煽匦运剑号cIPA相近，線性度不高。 

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會很強烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點，生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點兒Na2SiO3多的那時候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑?？煽匦运剑簺]辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘渣硫酸具備酸和絡(luò)合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

基準(zhǔn)點1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。