真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 

真空鍍膜機工作的環(huán)境要求：       

真空鍍膜設備要在真空條件下工作，因此該設備要滿足真空對環(huán)境的要求。真空對環(huán)境的要求，一般包括真空設備對所處實驗室（或車間）的溫度、空氣中的微粒等周圍環(huán)境的要求，和對處于真空狀態(tài)或真空中的零件或表面要求兩個方面。

物理氣相沉積涂層設備，該設備包括耐高壓真空爐腔、轉爐架、真空系統(tǒng)、陰極電弧系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、高溫軸承等，同時采用開發(fā)的先進的真空磁控陰極電弧技術，將具有超高硬度、更強結合力、均勻一致的納微米超硬薄膜運用于刀具、各類模具以及機械零部件表面，壽命提高達到3-10倍以上。

研究制備的各類PVD涂層包括高硅涂層、高鋁涂層（氮鋁化鈦）、Cr-Al涂層（AlCrN）、TiCN（氮碳化鈦）涂層、TiN（氮化鈦）涂層、類金剛石（DLC）涂層等。涂層具有光滑、致密、硬度高、耐高溫、抗磨損、防氧化等特點，能夠進行批量和工業(yè)化生產應用。

PCVD的工藝裝置由沉積室、反應物輸送系統(tǒng)、放電電源、真空系統(tǒng)及檢測系統(tǒng)組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質，經調節(jié)裝置得到所需要的流量，再與源物質同時被送進沉積室，在一定溫度和等離子體等條件下，得到所需的產物，并沉積在工件或基片表面。所以，PCVD工藝既包括等離子體物理過程，又包括等離子體化學反應過程。