憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能

憑借較小的導(dǎo)通電阻及其在高溫下的性能，如今 SiC 已成為下一代低損耗開關(guān)和阻斷元件可行的候選材料。相較于硅器件，SiC 器件具有眾多優(yōu)勢，因?yàn)楹笳呔哂懈叩膿舸╇妷杭捌渌匦?，包括：臨界電場擊穿電壓更高，因而在給定的額定電壓下工作時(shí)漂移層更薄，大幅減小導(dǎo)通電阻。導(dǎo)熱率更高，因而在橫截面上可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度。帶隙更寬，因而高溫下的漏電流較小。因此，SiC 二極管和 FET 常稱為寬帶隙 (WBG) 器件。

基于硅還是SiC的MOSFET通斷,都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)

無論是基于硅還是 SiC 的 MOSFET 通斷，都必須慎重考慮諸多相關(guān)細(xì)節(jié)：柵極驅(qū)動(dòng)電壓、電流、壓擺率、瞬態(tài)特性、過沖、輸入電容、電感以及許多其他靜態(tài)和動(dòng)態(tài)因素。柵極驅(qū)動(dòng)器可用于連接控制處理器輸出的相對簡單的低電平信號(hào)與開關(guān)器件的柵極輸入。這種特殊電源轉(zhuǎn)換器的輸出與功率器件的負(fù)載要求相對應(yīng)。

對于半橋或全橋等常用配置下的一對開關(guān)器件，驅(qū)動(dòng)器模塊還須確保和低端器件不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通，即使只是瞬間，因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致電源軌接地。此外，在某些功率器件應(yīng)用中，功率器件路徑中單條或兩條都必須與系統(tǒng)地進(jìn)行電氣隔離，同時(shí)仍需為其提供相應(yīng)的性能。

穩(wěn)壓電源有很多種,它的作用是把市電濾波后;穩(wěn)定成各種電器和電

穩(wěn)壓電源有很多種，它的作用是把市電濾波后；穩(wěn)定成各種電器和電路，所需的電壓叫穩(wěn)壓電源。穩(wěn)壓電源定義是能為負(fù)載提供穩(wěn)定交流電源或直流電源的電子裝置。包括交流穩(wěn)壓電源和直流穩(wěn)壓電源兩大類。交流穩(wěn)壓電源又稱交流穩(wěn)壓器。隨著電子技術(shù)的發(fā)展，特別是電子計(jì)算機(jī)技術(shù)應(yīng)用到各工業(yè)、科研領(lǐng)域后，各種電子設(shè)備都要求穩(wěn)定的交流電源供電，電網(wǎng)直接供電已不能滿足需要，交流穩(wěn)壓電源的出現(xiàn)解決了這一問題。