華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1200A（可擴展至1600A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現(xiàn)的在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試； 近兩年IGBT測試儀持續(xù)火爆，新能源汽車，軌道交通，風力發(fā)電等等都需要大量的IGBT模塊，所以我們?nèi)A科智源推出了大功率IGBT測試儀，可以測試1200A，5000V以內(nèi)的IGBT模塊，基本可以涵蓋現(xiàn)階段的IGBT模塊的測試了，我們IGBT測試儀還可以在線檢測模塊的電性能參數(shù)，對一些檢修，維護領域的工作有比較好的幫助，目前國內(nèi)我們?nèi)A科智源不光是IGBT靜態(tài)測試儀，包括動態(tài)測試儀，與國際品牌的設備也可以放在一起競爭了，而且我們不怕競爭，這對我們是一種促進。負載電感 配備自動切換開關，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通。

為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當功率元件老化時，元件的內(nèi)阻在導通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。建議進行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準確的判斷器件老化程度。長期使用后若溫升過高時，會使元件在關閉時的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當元件損毀時，會連帶將其驅(qū)動電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

公司擁有一批長期從事自動控制與應用、計算技術與應用、微電子技術、電力電子技術方面的人才。當元件損毀時，會連帶將其驅(qū)動電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。公司裝備精良，具有先進的檢測手段，產(chǎn)品生產(chǎn)嚴格按照ISO9001∶2008標準質(zhì)量管理體系運行，其品質(zhì)、技術及工藝方面保持國內(nèi)，部分產(chǎn)品達到國外同類產(chǎn)品的先進水平。 產(chǎn)品廣泛應用于電力、冶金自動化、軌道交通、電力電子新能源開發(fā)等行業(yè)，部分產(chǎn)品出口到歐美等發(fā)達國家。

關斷時間測試參數(shù)： 1、關斷時間toff：5～2000ns±3%±3ns 2、關斷延遲時間td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降時間tf：5～2000ns±3%±3ns 4、關斷能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、關斷耗散功率Pon：10W～250kW 關斷時間測試條件： 1、集電極電壓Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;