凈化工程定義

凈化工程是指控制產(chǎn)品 (如硅芯片等) 所接觸大氣的潔凈度及溫濕度，使產(chǎn)品能在一個良好的環(huán)境空間中生產(chǎn)、制造。此環(huán)境空間的設計施工過程即可稱為凈化工程。

凈化工程分類

亂流式、層流式（水平層流式、垂直層流式）、復合式（潔凈隧道、潔凈管道、并裝局部潔凈室）

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潔凈室中的溫濕度控制

潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超過25度，濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)的濕度范圍為35—45%。

特性：擁有環(huán)氧樹脂地板的一切優(yōu)異性能，可快速排泄靜電電荷、防靜電效力持久、表面電阻率達到10?5-109Ω、地面電阻排泄符合國際GB6650-86A標準。

適用范圍：生物工程車間、電子、微電子車間、無塵凈化室、電子元件生產(chǎn)區(qū)、半導體車間SMT、邦定車間等。