MLCC的結(jié)構(gòu)，四川華瓷MLCC多層片式陶瓷電容器

MLCC的構(gòu)造 

瓷器電容分為單面瓷器電容與多（積）層陶瓷電容(MLCC)，其電容值含量與商品面積尺寸、瓷器薄膜層疊疊加層數(shù)正相關(guān)，因?yàn)榇善鞅∧盈B技術(shù)性的發(fā)展，電容值含量也越高（日本公司已在完成在2μm的PET薄膜物質(zhì)上疊1000層加工工藝實(shí)踐活動(dòng)，生產(chǎn)制造出單面物質(zhì)薄厚為1μm電容數(shù)值100μF的MLCC）將來很有可能會(huì)替代低中電容如電解法電容和鉭質(zhì)電容的行業(yè)應(yīng)用，且MLCC可以通過SMT立即粘著，生產(chǎn)制造效率比電解法電容和鉭質(zhì)電容更快，再加上3C電子器件產(chǎn)品邁向輕巧簡(jiǎn)短特點(diǎn)，MLCC便于芯片化、體型小的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)將更為突顯。

片式陶瓷電容器加工-片式陶瓷電容器-四川華瓷MLCC

MLCC（片式多層陶瓷電容器）的簡(jiǎn)介，片式陶瓷電容器加工多層片式陶瓷電容器

MLCC是旋片雙層陶瓷電容英文簡(jiǎn)寫。是由印好電極（內(nèi)電極）的瓷器物質(zhì)脈沖阻尼器以移位的方法疊合起來，通過一次性高溫煅燒產(chǎn)生瓷器處理芯片，多層片式陶瓷電容器制備流程，再在芯片的兩邊封上金屬材料層（外電極），進(jìn)而產(chǎn)生一個(gè)相近獨(dú)石的結(jié)構(gòu)體，故也叫獨(dú)石電容器?；驹恚河捎『秒姌O（內(nèi)電極）的瓷器物質(zhì)脈沖阻尼器以移位的方法疊合起來，多層片式陶瓷電容器的分類，通過一次性高溫煅燒產(chǎn)生瓷器處理芯片，再在芯片的兩邊封上金屬材料層（外電極），以達(dá)到需要的電容值以及他主要參數(shù)特性。 

歸類：依照溫度特性、材料、生產(chǎn)工藝流程。MLCC可以分為以下幾類：NP0、C0G、Y5V、Z5U、X7R、X5R等。NP0、C0G溫度特性穩(wěn)定、容值小、價(jià)錢高；Y5V、Z5U溫度特性大、容值大、價(jià)格便宜；X7R、X5R則處于以上二種中間。按原材料SIZE尺寸來分。大概可以分成3225、3216、2012、1608、1005、0603、0402標(biāo)值越大。

尺寸就更寬更厚。常見的較多為3225少為0402。在便攜式產(chǎn)品中普遍使用的旋片雙層陶瓷電容(MLCC)原材料依據(jù)溫度特性，關(guān)鍵可分成兩類：BME化的C0G產(chǎn)品和LOWESR組材的X7R(X5R)產(chǎn)品。C0G類MLCC的容積多在1000pF下列，此類電力電容器低功耗涉及到的關(guān)鍵性能參數(shù)是耗損角正切值tanδ(DF)。

傳統(tǒng)式的貴重金屬電極(NME)的C0G產(chǎn)品DF值范疇是(2.0～8.0)×10-4，而技術(shù)性技術(shù)創(chuàng)新堿土金屬電極(BME)的C0G產(chǎn)品DF值范疇為(1.0～2.5)×10-4，約是兩者的(31～50)%。此類產(chǎn)品在乘載T/R控制模塊控制電路的GSM、CDMA、無線電話、手機(jī)藍(lán)牙、GPS系統(tǒng)中低功耗特性比較明顯。 

X7R(X5R)類MLCC的容積關(guān)鍵聚集在1000pF以上，此類電力電容器低功耗關(guān)鍵涉及到的性能參數(shù)是等效電路串聯(lián)電阻(ESR)。

片式陶瓷電容器-四川華瓷MLCC

電容器的關(guān)鍵特性 

電容器的容積（即存儲(chǔ)電荷量的容積），抗壓值（指在額定值溫度范圍內(nèi)電容能長期靠譜工作中的較大直流電壓或交流電流的有效值）耐高溫值（表明電容能夠承擔(dān)的操作溫度。）。 

電容的正負(fù)極判斷 

a、直接式正負(fù)極電容的正負(fù)極在一般的情形下全是長腳是正級(jí)，短腳是負(fù)極，可是也是有很有可能其他人早已把長的給剪掉了，因此為了更好地判斷，片式多層陶瓷電容器工藝，可以采用接下來的方式：在灰色的一部分一般有兩根矩形，多層片式陶瓷電容器，那麼挨著這一灰色一部分近期的管腳便是負(fù)極了，這也是確切的判斷，而且不容易出差錯(cuò)，提議采用這些方式！ 

b、貼片式鉭電容而言，有一條豎線的那一端是鉭電容的正級(jí)，而另一端便是鉭電容的負(fù)極。c、瓷磚電容是是無正負(fù)極電容，因而這類電容在安裝使用流程中不用區(qū)別正負(fù)極。

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