碳素原料中的雜質(zhì)主要是灰分，全部由氧化物組成。在化學(xué)生產(chǎn)中，灰分中的氧化物也要被還原，既要消耗電能，又要消耗碳素，而且被還原的雜質(zhì)仍然混入

硅液中，降低了硅的強(qiáng)度。在生產(chǎn)實(shí)踐中，爐料中每增加1%的灰分，就多耗電能100度-120度，因此，要求碳素原料中的灰分含量愈少愈好。  

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硅熔煉過(guò)程中，電爐電氣參數(shù)的控制是由配電工作完成的。一般情況下就是控制電極的埋入深度。淺埋電極，一般表明還原劑過(guò)剩，電極附近形成火眼，電弧

聲響亮，出爐硅溫度低，數(shù)量少、電耗高。深埋電極，如果爐料中還原劑過(guò)少，電極將處于較低位置。因?yàn)闋t料電阻隨著爐料中碳的減少而增大，電阻增大使電流負(fù)

荷下降，電極消耗增加，生產(chǎn)率降低。        

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1787年，拉瓦錫發(fā)現(xiàn)硅存在于巖石中。中國(guó)是全球主要的金屬硅產(chǎn)地，2007年中國(guó)金屬硅總產(chǎn)量為95-100萬(wàn)噸，國(guó)內(nèi)金屬硅消費(fèi)量達(dá)25萬(wàn)噸以上，而且近幾年國(guó)內(nèi)對(duì)金屬硅的需求也在不斷增加，國(guó)內(nèi)消費(fèi)量在總產(chǎn)量中的比重也在不斷提高。[2]1800年，戴維將其錯(cuò)認(rèn)為一種化合物。[2]1811年蓋-呂薩克和泰納爾（Thenard, Louis Jacques）加熱鉀和四氟化硅得到不純的無(wú)定形硅，根據(jù)拉丁文silex（燧石）命名為silicon。[2]1811年，-Lussac和Thenard以矽（硅）的四氟化物與堿土金屬反應(yīng)，發(fā)現(xiàn)在反應(yīng)當(dāng)中生成赤褐色的化合物（可能是含不純物無(wú)定形的矽）。[3]