電池片的檢驗

振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊，工程項目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗板，負債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。 

九、崩邊、豁口、掉角 

充電電池邊沿崩邊喝豁口 

A級：其長短≤3mm，深度1≤0.5mm，總數(shù)≤2處 

B級：其長短≤5mm，深度1≤1.0mm，總數(shù)≤3處 

四邊豁口 

A級：規(guī)格≤1.5*1.5mm，總數(shù)≤1處 

B級：規(guī)格≤2.0*2.0mm，總數(shù)≤1處 

注：多晶硅A級和B級均不容許有三邊形豁口和銳利行豁口，左右豁口都不能過電級(主柵線，副柵線) 

超出B級范疇 

多晶硅電池片超出了B級范疇，就立即做為缺點片。 

多晶電池片超出了B級范疇，如合乎C級需切角片的規(guī)定，能作C級需切角片多

經容許邊緣有豁口（包含三邊形豁口和銳利行豁口），對邊緣豁口聽規(guī)定給出 

125任意邊緣破損≤18*18mm 

150任意邊緣破損≤8*8mm 

156任意邊緣破損≤14*14mm注：多晶電池片超過了C級片的規(guī)定，做為缺點片。徹底粉碎，無運用使用價值的做為報費片新的規(guī)范與舊的同樣。

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

刻蝕工藝

刻蝕目的

將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈，避免 PN 結短路造成并聯(lián)電阻降低。

刻蝕原理

采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應， 采用高頻輝光放電反應，使反應氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴散到硅片邊緣，在那里與硅進行反應，形成揮發(fā)性生成物四氟化硅而被去除。

化學公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2

工藝流程

預抽，主抽，送氣，輝光，抽空，清洗，預抽，主抽   ，充氣。

影響因素

1. 射頻功率

射頻功率過高：等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結區(qū)（耗盡層）造成的損傷會使得結區(qū)復合增加。

射頻功率太低：會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足，導致并聯(lián)電阻下降。

2. 時間

刻蝕時間過長：刻蝕時間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大，時間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結區(qū)，從而導致?lián)p傷區(qū)域高復合。

刻蝕時間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈， PN 結依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。

4.   壓力

壓力越大，氣體含量越少，參與反應的氣體也越多，刻蝕也越充份。

電池片絲網印刷技術

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

電池片絲網印刷技術

5  設備  

對設備的要求有如下 3 點：  

（ 1 ）工作臺的平面度。印刷時電池片被吸附于工作臺表面，如表面不平，在負壓下電池片易裂，以 150mm 電池片為例，工作臺的平面度不大于 0.02mm ；  

（ 2 ）工作臺重復定位精度。根據(jù)太陽能電池片的精度要求，工作臺重復定位精度達到 0.01mm 即能滿足工藝要求；  

（ 3 ）印刷時絲網與工作臺的平行度決定印刷膜厚度的一致性，根據(jù)使用要求，以 150mm 電池片為例二者平行度 0.04mm 。

電池片的平面度不大于 0.02mm ，表面粗糙度低于 1.6 。  

6  結束語  

    太陽能電池印刷是電池片生產線的重要工序，對電池片的質量起著重要作用，太陽能電池印刷技術是一個有機的整體，是各種技術的組合，需要工藝工程師和設備工程師的協(xié)同工作：既要了解各個參數(shù)的特點，又要了解其相互的制約關系； 3 種印刷工序既有相同之處又有區(qū)別，需要針對不同工序的具體要求分。