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發(fā)布時間:2022-07-22 11:18  

蝕刻速率:蝕刻速率慢會造成嚴(yán)重側(cè)蝕。蝕刻質(zhì)量的提高與蝕刻速率的加快有很大關(guān)系。蝕刻速度越快,板子在蝕刻液中停留的時間越短,側(cè)蝕量越小,鶴崗填漆機,蝕刻出的圖形清晰整齊。

4)蝕刻液的PH值:堿性蝕刻液的PH值較高時,填漆機廠家,側(cè)蝕增大。峁見圖10-3為了減少側(cè)蝕,一般PH值應(yīng)控制在8.5以下。

5)蝕刻液的密度:堿性蝕刻液的密度太低會加重側(cè)蝕,見圖10-4,選用高銅濃度的蝕刻液對減少側(cè)蝕是有利的.

6)銅箔厚度:要達到側(cè)蝕的細導(dǎo)線的蝕刻,采用(超)薄銅箔。而且線寬越細,填漆機價格,

銅箔厚度應(yīng)越薄。因為,銅箔越薄在蝕刻液中的時間越短,側(cè)蝕量就越小。











NH4Cl濃度對蝕刻的影響:從溶液再生的化學(xué)反應(yīng)式可以看出,[Cu(NH3)2]-的再生過程需要有大量的NH3-H2O和NH4Cl的存在,如果蝕刻機藥液缺乏NH4Cl,將使[Cu(NH3)2]-得不到再生,蝕刻速度就會降低,以至于失去蝕刻能力。所以,NH4Cl的含量對蝕刻速度影響很大。但是,溶液中Cl-含量過高會引起抗蝕層侵蝕,一般濃度控制在150g/L左右為宜。

溫度對蝕刻速度的影響:當(dāng)蝕刻溫度低于40℃時,蝕刻速度很慢,而蝕刻速率過慢會增大側(cè)蝕量,影響蝕刻精度。溫度高于60℃,蝕刻速率明顯加快,填漆機加盟,但氨的揮發(fā)量也大大增加,導(dǎo)致環(huán)境污染的同時使溶液中化學(xué)成分比例失調(diào),故一般蝕刻機工作溫度控制在45℃~55℃為宜。




這倆設(shè)備非常簡單的表述便是光刻機把原理圖投射到遮蓋有光刻膠的硅片上邊,刻蝕機再把剛剛畫了原理圖的硅片上的不必要原理圖浸蝕掉,那樣看上去好像沒有什么難的,可是有一個品牌形象的形容,每一塊集成ic上邊的電源電路構(gòu)造變大成千上萬倍看來比全部北京市都繁雜,這就是這光刻和蝕刻加工的難度系數(shù)。光刻的全過程就是目前制做好的硅圓表面涂上一層光刻膠(一種能夠被光浸蝕的膠狀物化學(xué)物質(zhì)),下面根據(jù)光源(加工工藝難度系數(shù)紫外線<深紫外線<極紫外線)通過掩膜照射硅圓表面(相近投射),由于光刻膠的遮蓋,照射的一部分被浸蝕掉,沒有陽光照射的一部分被留下,這一部分就是必須 的電源電路構(gòu)造。蝕刻加工分成二種,一種是干刻,一種是濕刻(現(xiàn)階段流行),說白了,濕刻便是全過程中存水添加,將上邊歷經(jīng)光刻的圓晶與特殊的化學(xué)溶液反映,除掉不用的一部分,剩余的就是電源電路構(gòu)造了,干刻現(xiàn)階段都還沒完成商業(yè)服務(wù)批量生產(chǎn),其基本原理是根據(jù)等離子技術(shù)替代化學(xué)溶液,除去不用的硅圓一部分。


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