編輯：L

MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)管）的主要參數(shù)：

3. 漏源擊穿電壓BVDS

·在VGS=0(增強(qiáng)型)的條件下 ，6N60原裝現(xiàn)貨供應(yīng)，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱(chēng)為漏源擊穿電壓BVDS

·ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面:

(1)漏極附近耗盡層的雪崩擊穿

(2)漏源極間的穿通擊穿

·有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，24N50原裝現(xiàn)貨供應(yīng)，源區(qū)中的多數(shù)載流子，原裝現(xiàn)貨供應(yīng)，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID

編輯：L

MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)管）的主要參數(shù)：

1.開(kāi)啟電壓VT

·開(kāi)啟電壓(又稱(chēng)閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓;

·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3~6V;·通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2~3V。

2. 直流輸入電阻RGS

·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比

·這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。

編輯：L

ASEMI品牌 TO-220 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 100N10

型號(hào)：100N10

封裝：TO-220AB

漏極電流（VDS）：100A

漏源電壓（ID）：100V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝類(lèi)型：插件

種類(lèi)：場(chǎng)效應(yīng)晶體管/MOSFET

品牌：ASEMI

場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影P溝道m(xù)os管符號(hào)一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒(méi)有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。

9N90原裝現(xiàn)貨供應(yīng)-ASEMI-原裝現(xiàn)貨供應(yīng)由強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司提供。強(qiáng)元芯電子（廣東）有限公司實(shí)力不俗，信譽(yù)可靠，在廣東 深圳 的二極管等行業(yè)積累了大批忠誠(chéng)的客戶(hù)。強(qiáng)元芯電子帶著精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念和您攜手步入輝煌，共創(chuàng)美好未來(lái)！同時(shí)本公司還是從事三相整流橋，深圳三相整流橋，深圳三相整流橋整流模塊的廠(chǎng)家，歡迎來(lái)電咨詢(xún)。