真空鍍膜設(shè)備多弧離子鍍膜工藝不僅避免了傳統(tǒng)表面處理的不足，且各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)都優(yōu)于傳統(tǒng)工藝，在五金、機(jī)械、化工、模具、電子、儀器等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。催化液和傳統(tǒng)處理工藝相比，在技術(shù)上有哪些創(chuàng)新？

1、多弧離子鍍膜不用電、降低了成本、成本僅為多弧離子鍍膜鎳的二分之一，真空鍍膜機(jī)多弧離子鍍膜鉻的三分之一，不銹鋼的四分之一，可反復(fù)利用，大大降低了成本。

2、多弧離子鍍膜易操作、工藝簡(jiǎn)單、把金屬基件浸入兌好的液體中“一泡即成”，需要再加工時(shí)不經(jīng)任何處理。

3、多弧離子鍍膜無(wú)污染，無(wú)毒無(wú)味，無(wú)三廢排放，屬國(guó)家環(huán)保產(chǎn)品技術(shù)。

4、多弧離子鍍膜好處理、使用方便；形狀復(fù)雜的金屬基件都能處理。

5、多弧離子鍍膜硬度大，硬度增強(qiáng)、催化液泡過(guò)的金屬基件硬度是多弧離子鍍膜工藝的幾倍。

6、多弧離子鍍膜不會(huì)生銹，催化液浸泡過(guò)的金屬基件已滲透表皮里面，不起皮、不脫落。

真空鍍膜設(shè)備離子鍍的類型及特點(diǎn)是怎樣的?

真空鍍膜機(jī)離子鍍技術(shù)市場(chǎng)使用占比率非常高，鍍餐具，鍍家居，鍍飾品等都離不開離子鍍膜技術(shù)，離子鍍膜技術(shù)不僅僅在國(guó)內(nèi)受追捧，國(guó)外也是一樣受喜愛。那么，真空鍍膜設(shè)備離子鍍的類型及特點(diǎn)是怎樣的？下面至成小編為大家詳細(xì)介紹一下：

離子鍍是結(jié)合真空蒸鍍和濺射鍍兩種技術(shù)而發(fā)展起來(lái)的沉積技術(shù)。在真空條件下，采用適當(dāng)?shù)姆绞绞瑰兡げ牧险舭l(fā)，利用氣體放電使工作氣體和被蒸發(fā)物質(zhì)部分電離，在氣體離子和被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下，蒸發(fā)物質(zhì)或其反應(yīng)產(chǎn)物在基體上沉積成膜。離子鍍的基本過(guò)程包括鍍膜材料的蒸發(fā)、離子化、離子加速、離子轟擊工件表面成膜。根據(jù)鍍膜材料不同的蒸發(fā)方式和氣體的離化方式，構(gòu)成了不同類型的離子鍍，下表是幾種主要的離子鍍。離子鍍具有鍍層與基體附著性能好、繞射性能好、可鍍材質(zhì)廣、沉積速率快等優(yōu)點(diǎn)。

PVD真空鍍膜機(jī)鍍膜技術(shù)工藝步驟及原理

廠家在采購(gòu)PVD真空鍍膜機(jī)時(shí)，商家都會(huì)培訓(xùn)PVD真空鍍膜機(jī)的相關(guān)知識(shí)，如鍍膜技術(shù)工藝步驟、原理、保養(yǎng)維護(hù)方法，機(jī)器的運(yùn)行注意事項(xiàng)等等，今天至成小編為大家介紹一下PVD真空鍍膜機(jī)鍍膜技術(shù)工藝步驟和原理。

PVD真空鍍膜機(jī)鍍膜技術(shù)工藝步驟，分為以下四個(gè)步驟：

（1）清洗工件：接通直流電源，Ar氣進(jìn)行輝光放電為Ar離子，Ar離子轟擊工件表面，工件表層粒子和臟物被轟濺拋出；

（2）鍍料的氣化：即通入交流電后，使鍍料蒸發(fā)氣化。

（3）鍍料離子的遷移：由氣化源供出原子、分子或離子經(jīng)過(guò)碰撞以及高壓電場(chǎng)后，高速?zèng)_向工件；

（4）鍍料原子、分子或離子在基體上沉積：工件表面上的蒸發(fā)料離子超過(guò)濺失離子的數(shù)量時(shí)，則逐漸堆積形成一層牢固粘附于工件表面的鍍層。

如果是鍍離子鍍時(shí)，蒸發(fā)料粒子電離后具有三千到五千電子伏特的動(dòng)能，高速轟擊工件時(shí)，不但沉積速度快，而且能夠穿透工件表面，形成一種注入基體很深的擴(kuò)散層，離子鍍的界面擴(kuò)散深度可達(dá)四至五微米，也就是說(shuō)比普通真空鍍膜的擴(kuò)散深度要深幾十倍，甚至上百倍，因而彼此粘附得特別牢。

新型磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍膜工藝

磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍膜工藝在鍍膜行業(yè)無(wú)處不在，只要說(shuō)到鍍膜技術(shù)，大家都會(huì)立刻想到磁控鍍膜工藝，磁控濺射真空鍍膜機(jī)也受到了各大廠家的追捧，磁控濺射鍍膜工藝更是受到大家的喜愛，今天至成小編為大家介紹一下磁控濺射鍍膜機(jī)鍍膜工藝。

其實(shí)從一般的金屬靶材濺射、反應(yīng)濺射、偏壓濺射等,伴隨著工業(yè)需求及新型磁控濺射技術(shù)的出現(xiàn),低壓濺射、高速沉積、自支撐濺射沉積、多重表面工程以及脈沖濺射等新型工藝成為目前該領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)。低壓濺射的關(guān)鍵問(wèn)題是在低壓(一般是指<011Pa)下,電子與氣體原子的碰撞幾率降低,在常規(guī)磁控濺射技術(shù)中不足以維持靶材表面的輝光放電,導(dǎo)致濺射沉積無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。通過(guò)優(yōu)化磁場(chǎng)設(shè)計(jì),使得電子空間運(yùn)動(dòng)距離延長(zhǎng),非平衡磁控濺射技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)在10-2Pa等級(jí)的真空下進(jìn)行濺射沉積。另外,通過(guò)外加電磁場(chǎng)約束電子運(yùn)動(dòng)可以實(shí)現(xiàn)更低壓強(qiáng)下的濺射沉積。進(jìn)行高速沉積可以極大的提高工作效率、減少工作氣體消耗以及獲得新型膜層。實(shí)現(xiàn)高速沉積主要需要解決的問(wèn)題是在提高靶材電流密度的同時(shí),不會(huì)產(chǎn)生弧光放電;由于功率密度的提高,靶材、襯底的冷卻能力需要相應(yīng)提高等。目前,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了靶材功率密度超過(guò)100W/cm2,沉積速率超過(guò)1μm/min。