退火爐

退火爐是在半導(dǎo)體器件制造中使用的一種工藝，其包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理是針對(duì)不同的效果而設(shè)計(jì)的?？梢约訜峋约诫s劑，將薄膜轉(zhuǎn)換成薄膜或?qū)⒈∧まD(zhuǎn)換成晶片襯底界面，使致密沉積的薄膜，改變生長(zhǎng)的薄膜的狀態(tài)，修復(fù)注入的損傷，移動(dòng)摻雜劑或?qū)诫s劑從一個(gè)薄膜轉(zhuǎn)移到另一個(gè)薄膜或從薄膜進(jìn)入晶圓襯底。退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中，例如氧化，或者可以自己處理。退火爐是由專(zhuān)門(mén)為加熱半導(dǎo)體晶片而設(shè)計(jì)的設(shè)備完成的。退火爐是節(jié)能型周期式作業(yè)爐，超節(jié)能結(jié)構(gòu)，采用纖維結(jié)構(gòu)，節(jié)電60%。

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熱釋光探測(cè)器退火爐

HR2000A型熱釋光探測(cè)器退火爐（以下簡(jiǎn)稱退火爐）是對(duì)熱釋光探測(cè)器進(jìn)行熱處理的設(shè)備，用于熱釋光探測(cè)器（以下簡(jiǎn)稱探測(cè)器）使用前和照射后的低溫?zé)崽幚恚ㄍ嘶穑Ｊ褂们暗臒崽幚碛糜谙綔y(cè)器的殘余劑量（測(cè)后殘余）和本底劑量（放置一段時(shí)間后產(chǎn)生的劑量），恢復(fù)探測(cè)器的初始靈敏度和發(fā)光曲線的形狀；照后低溫退火用于消除探測(cè)器的低溫峰，熱釋光退火爐報(bào)價(jià)，縮短測(cè)量周期，多用于大批量探測(cè)器的測(cè)量中。

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熱釋光退火爐的應(yīng)用

應(yīng)用領(lǐng)域：

對(duì)性輻射的個(gè)人劑量、事故劑量、皮膚劑量和環(huán)境劑量的自動(dòng)化測(cè)量。應(yīng)用于各級(jí)疾病預(yù)防控制中心、輻射環(huán)境監(jiān)測(cè)站、出入境檢驗(yàn)檢疫、食品藥品檢測(cè)中心、醫(yī)院科、核醫(yī)學(xué)科、電站、高等院校核工程與核技術(shù)研究等。

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