硅是一種關鍵的非金屬材料單質，它的主要用途十分普遍。做為優(yōu)良的半導體器件，硅可用來制造集成電路芯片、三極管、硅整流器等集成電路工藝。除此之外，硅的鋁合金主要用途也很廣， 如含硅4％（質量分數(shù)）的鋼具備優(yōu)良的導帶磁，可用來制造變壓器線圈；同時，組件商近兩年已加大在海外建廠的力度，進一步將“雙反”影響降低。含硅15％（質量分數(shù)）上下的鋼具備優(yōu)良的耐堿性，可用來制造耐酸性機器設備等。 即便在光照較差的地域，若應用多晶硅部件那樣的名優(yōu)產(chǎn)品，也一樣能確保高發(fā)電能力，為客戶產(chǎn)生巨額盈利。

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    抵御平穩(wěn)——淬火（ Class 1k） 

    硅片在 CZ 爐內高濃的氧氣氛里生長發(fā)育。 由于絕大多數(shù)的氧是可塑性的， 殊不知仍有數(shù)的氧會形 成小基團。這種基團會飾演 n-施主的人物角色，就會使硅片的電阻檢測有誤。要避免這一問 題的產(chǎn)生， 硅片務必加溫到 650℃上下。 這一高的溫度會使氧產(chǎn)生大的基團而不容易危害電 阻率。隨后對硅片開展激冷，以阻攔小的氧基團的產(chǎn)生。已知鄰居老王有一處私房，樓頂面積約250平，想安裝光伏，自發(fā)自用余電上網(wǎng)，家里目前用的單相表，并網(wǎng)導線截面積6mm2，求老王報裝容量的值。這一全過程能夠 合理的清除氧做為 n- 施主的特點，并使真實的電阻趨于穩(wěn)定。 

    背封（ Class 10k） 

    針對重摻的硅片而言，會歷經(jīng)一個高溫環(huán)節(jié)，在硅片反面淀積一層塑料薄膜，能阻攔摻雜劑的向 擴散。這一層就好似密封劑一樣避免摻雜劑的肇事逃逸。一般有三種塑料薄膜被用于做為背封原材料： 二氧化硅（ SiO2）、氮化硅（ Si3N4）、光伏電池。假如金屬氧化物或氮化合物用于背封，能夠 嚴苛地認 為是一密封劑，而假如選用光伏電池，除開關鍵做為密封劑外，還具有了外界吸雜功效。 圖 1.3 舉例子了加熱清理、抵御平穩(wěn)和背封的流程。這里需要明確一點對于公用位置上面建設光伏電站的需要公用位置的所有業(yè)主、物業(yè)、居委會提供同意證明材料。