化學(xué)氣相沉積的應(yīng)用

現(xiàn)代科學(xué)和技術(shù)需要使用大量功能各異的無機新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地?fù)饺肽撤N雜質(zhì)形成的摻雜材料。6x10-4Pa(經(jīng)烘烤除氣后，采用FF160/600分子泵抽氣)。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。因此，無機新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學(xué)中的主要課題。

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化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學(xué)氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體。化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料?；瘜W(xué)氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。

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化學(xué)氣相沉積技術(shù)的使用

生產(chǎn)晶須：

晶須屬于一種以為發(fā)育的單晶體，它在符合材料范疇中有著很大的作用，能夠用于生產(chǎn)一些新型復(fù)合材料。等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下：熱探針和N型半導(dǎo)體接觸時，傳導(dǎo)電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言將是正的。 化學(xué)氣相沉積法在生產(chǎn)晶須時使用的是金屬鹵化物的氫還原性質(zhì)?；瘜W(xué)氣相沉積法不但能制備出各類金屬晶須，同時也能生產(chǎn)出化合物晶須，比如氧化鋁、金剛砂、碳化鈦晶須等等。

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