目前市場(chǎng)主流常規(guī)水平式蝕刻機(jī)，在板子雙面同時(shí)噴淋蝕刻過(guò)程中，顯然下表面蝕刻速度與蝕刻均勻性要比上表面好，上表面的板四周蝕刻速度快于中間部位。這主要由于通常的噴淋蝕刻過(guò)程中板子上表面會(huì)形成蝕刻液的“水池”，嚴(yán)重影響蝕刻均勻性與引起側(cè)蝕。

   真空蝕刻機(jī)的一組模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)設(shè)有加裝智能吸水系統(tǒng)套件，吸取板面走蝕刻液，不使蝕刻液滯留在板面。真空吸液盤固定在橋板上離基板調(diào)為的距離位置。    如0.2mm厚以下的板子精度達(dá)到 -0.01mm，相比常規(guī)蝕刻機(jī)高出一倍，產(chǎn)能相比常規(guī)蝕刻機(jī)高出三分之一，同樣也提。使用該真空技術(shù)給企業(yè)改善精工制造也帶來(lái)強(qiáng)大的核心競(jìng)爭(zhēng)力！

要計(jì)算合適的腐蝕區(qū)了解蝕刻機(jī)分為幾個(gè)部分:一個(gè)蝕刻機(jī)分為四個(gè)部分:飼料部分→腐蝕區(qū)→清洗→放電區(qū),蝕刻機(jī)進(jìn)料部分、清潔區(qū)、過(guò)水?dāng)嗝媸枪潭ǖ?價(jià)格是由腐蝕的長(zhǎng)度決定。腐蝕區(qū)域的長(zhǎng)度由腐蝕時(shí)間、腐蝕輸出量和工件尺寸決定。。    腐算公式如下：    腐蝕區(qū)=1 ﹛總產(chǎn)量×(板長(zhǎng) 板距50mm)÷{機(jī)寬÷(板寬 板距50mm)｝÷工時(shí)÷60×蝕刻時(shí)間﹜÷0.8。注：此公式進(jìn)料寬度÷工件寬度只取整數(shù)，小數(shù)點(diǎn)后面去掉;后所得數(shù)取整數(shù)后加一，小數(shù)點(diǎn)去掉;為得出的結(jié)果與實(shí)際生產(chǎn)更為接近，需按照此公式結(jié)果再除以0.8，因?yàn)閷?shí)際生產(chǎn)時(shí)認(rèn)為周轉(zhuǎn)會(huì)有時(shí)間損耗。    根據(jù)上述公式我們舉例檢驗(yàn)一下,比如某蝕刻加工廠想找一家蝕刻機(jī)廠家購(gòu)買一臺(tái)合適自己的蝕刻機(jī)，而不知道蝕刻機(jī)價(jià)格多少，只知道自己每天有200*300mm大小不銹鋼板需要腐蝕鏤空，產(chǎn)量為8小時(shí)需要生產(chǎn)500件，不銹鋼板的厚度為0.3mm，想買一臺(tái)節(jié)省成本的蝕刻機(jī)。    不銹鋼板的尺寸為200*300mm，所以我們購(gòu)買常規(guī)700mm進(jìn)料寬度的蝕刻機(jī)為合適，根據(jù)我廠掌握不銹鋼生產(chǎn)時(shí)腐蝕速率0.3mm鏤空的腐蝕時(shí)間為15分鐘，新更快。

蝕刻機(jī)可以分為化學(xué)蝕刻機(jī)及電解蝕刻機(jī)兩類。在化學(xué)蝕刻中是使用化學(xué)溶液，經(jīng)由化學(xué)反應(yīng)以達(dá)到蝕刻的目的，化學(xué)蝕刻機(jī)是將材料用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。

光刻機(jī)(Mask Aligner) 又名:掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機(jī)是掩膜對(duì)準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光來(lái)制作一個(gè)圖形(工藝);在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過(guò)程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時(shí)""到硅片上的過(guò)程。

光柵刻畫:光學(xué)中光柵通常的作用是色散。光柵刻劃是制作光柵的方法之一。