干法刻蝕

干法刻蝕種類(lèi)很多，包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點(diǎn)是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復(fù)性好，細(xì)線條操作安全，易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，無(wú)化學(xué)廢液，處理過(guò)程未引入污染，潔凈度高。缺點(diǎn)是：成本高，設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過(guò)程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過(guò)程（如離子銑），物理化學(xué)過(guò)程，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式很多，一般有：濺射與離子束銑蝕， 等離子刻蝕（Plasma Etching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕（RIE）。另外，化學(xué)機(jī)械拋光CMP，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。

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離子束刻蝕速率

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刻蝕速率是指單位時(shí)間內(nèi)離子從材料表面刻蝕去除的材料厚度，單位通常為A/minnm/min.刻蝕速率與諸多因素有關(guān)，包括離子能量、束流密度、離子入射方向、材料溫度及成分、氣體與材料化學(xué)反應(yīng)狀態(tài)及速率、刻蝕生成物、物理與化學(xué)功能強(qiáng)度配比、材料種類(lèi)、電子中和程度等。

離子束刻蝕

利用低能量平行Ar 離子束對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達(dá)到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率較高，陡真性較好的方法，它可以對(duì)所有材料進(jìn)行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等。

離子束刻蝕機(jī)

離子束刻蝕機(jī)由真空室、工作臺(tái)、快門(mén)、真空抽氣系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、電源和  電器系統(tǒng)等主要部分組成,圖1-1所示為離子束刻蝕機(jī)的工作原理圖。該機(jī)在正常工作  時(shí),首先將真空室的壓力抽至2×10-3Pa或更低,再調(diào)節(jié)Ar氣流量,使真空室壓力保持  在1×10-2~2×10-2Pa(如需要輔助氣體,如O2、CH2等,則可按一定比例與之混合),  然后啟動(dòng)離子源各電源,使離子源正常工作,從離子源引出一定能量和密度的離子束  被中和器發(fā)射的電子中和后,轟擊工件進(jìn)行濺射刻蝕。