石英晶體振蕩器的主要參數(shù)

晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率，負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同，標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。頻率精度和頻率穩(wěn)定度：由于普通晶振的性能基本都能達(dá)到一般電器的要求，對(duì)于設(shè)備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定度，頻率精度從10（-4）量級(jí)到10（-10）量級(jí)不等，頻率穩(wěn)定度±1到±100PPm不等。

晶體振蕩器的頻差

在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱頻率的較大偏差。

說明：總頻差包括頻率溫度穩(wěn)定度、頻率老化率造成的偏差、頻率電壓特性和頻率負(fù)載特性等共同造成的較大頻差。一般只在對(duì)短期頻率穩(wěn)定度關(guān)心，而對(duì)其他頻率穩(wěn)定度指標(biāo)不嚴(yán)格要求的場(chǎng)合采用。例如：精密制導(dǎo)雷達(dá)。

為什么晶振尺寸越小，產(chǎn)品的靈活度越高

近年來，上偏晶振報(bào)價(jià)，智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備、可穿戴式設(shè)備及IoT設(shè)備等使用智能的電子設(shè)備迅速普及。而且，為了提高產(chǎn)品的設(shè)計(jì)靈活度和可穿戴舒適度并確保配置新功能所用的空間，要求這些產(chǎn)品上搭載的元器件的尺寸和功耗降低到極限。以晶振為例，在智能硬件還未興起的年代，3225貼片晶振使用較為廣泛，2520也算是尺寸相對(duì)較小的無源晶振封裝了。如今，智能產(chǎn)品上所搭載的無源晶振多以1612貼片晶振，2016貼片晶振為主。這些晶振由于體積過于渺小，需要放大鏡甚至顯微鏡才能看清真實(shí)面目。電子元器件一致改小，那么它們之間的間距也會(huì)縮短，這樣來，有個(gè)好處就是能讓不同晶體管終端的電容量降低，上偏晶振廠家，從而提升它們的交換頻率。因?yàn)槊總€(gè)晶體管在切換電子信號(hào)的時(shí)候，所消耗的動(dòng)態(tài)功耗會(huì)直接和電流容量相關(guān)，從而使得運(yùn)行速度加快，能耗變小。明白了這一點(diǎn)，也就不難理解為什么制程的數(shù)值越小，上偏晶振，制程就越；元器件的尺寸越小，上偏晶振價(jià)格，處理器的集成度越高，因此靈活度更高，處理器的功耗反而越低的道理了。

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