離子鍍是在真空蒸發(fā)鍍和濺射鍍膜的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種鍍膜技術(shù)，將各種氣體放電方式引入到氣相沉積領(lǐng)域，整個(gè)氣相沉積過程都是在等離子體中進(jìn)行的。　　

全SUS304不銹鋼機(jī)身，隱藏式雙層冷卻水套設(shè)計(jì)　　

合理配備多套全新研制的離子弧源，有效保障弧源濺射的穩(wěn)定性與均勻性　　

采用多路進(jìn)氣系統(tǒng)，精準(zhǔn)控制氣體流量，滿足您多種化合物膜層需求?！　?

裝載大功率脈沖偏壓電源，極大提高電粒子能量，從而獲得的膜層結(jié)合力和光潔度　　

采用創(chuàng)新工藝制造，精益求精，通過歐盟CE和ISO質(zhì)量管理體系認(rèn)證；

鍍膜技能在刀具、模具等金屬切削加工東西方面的運(yùn)用。在生活中咱們會(huì)看到金黃色的、鈷銅色的、黑色的等七雜八色的鉆頭、銑刀、模具等，這些即是通過鍍膜技能加工后的涂層?xùn)|西。

（1）金黃色的是在刀具上涂鍍了TiN、ZrN涂層。TiN是一代運(yùn)用廣泛的硬質(zhì)層資料。

（2）黑色的是在切削東西上涂了TiC、CrN涂層。

（3）鈷銅色的是在刀具上鍍涂了TiALN涂層。

20世界80年代早期隨著等離子體輔助PVD工藝的顯露，CVD在工具方面的應(yīng)用衰落了。但由于這種工藝具有非常好的滲入特性，其在CVI、ALE等領(lǐng)域的工藝中有著很好的應(yīng)用前景，主要用于金屬涂層、陶瓷涂層、無機(jī)涂層材料。

金屬有機(jī)化合物CVD（MOCVD）工藝被廣泛用于電子工業(yè)，例如生產(chǎn)AI和GaAs膜，當(dāng)用于生長單晶材料膜時(shí)，這種工藝稱為金屬有機(jī)氣相外延（MDVPE）。

原子層外延（ALE）CVD是一種CVD衍生方法，可以控制膜的成長，現(xiàn)在該工藝已用于生產(chǎn)電熒光膜。

氣相沉積是一種在基體表面形成功能膜層的技術(shù)，它是利用物質(zhì)在氣相中產(chǎn)生的物理或(及)化學(xué)反應(yīng)而在產(chǎn)品表面沉積單層或多層的、單質(zhì)或化合物的膜層，從而使產(chǎn)品表面獲得所需的各種優(yōu)異性能。

氣相沉積作為一種表面鍍膜方法，其基本步驟有需鍍物料氣相化->輸運(yùn)->沉積。它的主要特點(diǎn)在于不管原來需鍍物料是固體、液體或氣體，在輸運(yùn)時(shí)都要轉(zhuǎn)化成氣相形態(tài)進(jìn)行遷移，終到達(dá)工件表面沉積凝聚成固相薄膜。

物理氣相沉積（PVD）是一項(xiàng)眾所周知的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于薄膜沉積，涉及許多方面，包括摩擦學(xué)性能改善，光學(xué)增強(qiáng)，視覺/美學(xué)提升以及許多其他領(lǐng)域，涉及范圍廣泛。已經(jīng)建立的應(yīng)用程序。加工工具可能是該沉積技術(shù)的常見應(yīng)用之一，有時(shí)與化學(xué)氣相沉積（CVD）結(jié)合使用，以延長其使用壽命，減少摩擦并改善熱性能。然而，CVD工藝在較高的溫度下進(jìn)行，從而在涂層和基材中產(chǎn)生較高的應(yīng)力，基本上僅在需要使用該工藝沉積所需的涂層時(shí)才使用。為了改進(jìn)此技術(shù)，已進(jìn)行了多項(xiàng)研究，以優(yōu)化PVD技術(shù)，方法是增加等離子體電離，減少暗區(qū)（反應(yīng)器中沒有沉積物的區(qū)域），改善靶材的使用，提高原子轟擊效率，甚至提高沉積速率并優(yōu)化氣體選擇。