KOAN 壓控晶振相位噪聲的形成因素主要三方面

A.近端相噪主要是晶體 Q 值來決定。高頻晶體有很高的近載波相位噪聲（Close-inPhase Noise）, 因為他們有低的 Q 值和更寬的邊帶；

B 中端相噪主要是晶體外圍電路(包括 IC)來決定；

C 遠端相噪主要是信號輸出(白噪聲)來決定。

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KOAN 壓控晶振 VCXO，與 TCXO，OCXO 系列應用區(qū)別

? TCXO 系列：時間基準，移動設備，無線通訊，精密儀表，智能監(jiān)控。

? VCXO 系列：頻率電校準，高頻網絡應用系統(tǒng)，軍事防干擾通訊。

? OCXO 系列：移動通信基地站，導航，頻率計數器，頻譜和網絡分析儀器（頻率標準）。

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KOAN 壓控振蕩器的振蕩條件

相位條件：ωL=1/ωcl（ω 晶體頻率， L 晶體有效電感，CL 晶體負載電容），調整負載電容可以調整頻率高低，實現頻率精準度高；KOAN壓控振蕩器對晶體諧振器的要求晶振的動態(tài)電容與頻率的牽引成正比，負載電容大小及其變化大小與頻率牽引成反比，選用基頻并增大動態(tài)電容可加大牽引，但諧振器的動態(tài)電感減小，Q值下降，頻率穩(wěn)定度必然下降。振幅條件：│Rˉ│≥R（設計電路要考慮負性阻抗值 Rˉ的相對值，在起動時要比晶體諧振電阻有效值 R 大3-20 倍，正常振蕩時│Rˉ│=R）。

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