目前市場主流常規(guī)水平式蝕刻機，在板子雙面同時噴淋蝕刻過程中，顯然下表面蝕刻速度與蝕刻均勻性要比上表面好，上表面的板四周蝕刻速度快于中間部位。這主要由于通常的噴淋蝕刻過程中板子上表面會形成蝕刻液的“水池”，嚴重影響蝕刻均勻性與引起側(cè)蝕。

   真空蝕刻機的一組模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)設(shè)有加裝智能吸水系統(tǒng)套件，吸取板面走蝕刻液，不使蝕刻液滯留在板面。真空吸液盤固定在橋板上離基板調(diào)為的距離位置。    如0.2mm厚以下的板子精度達到 -0.01mm，相比常規(guī)蝕刻機高出一倍，產(chǎn)能相比常規(guī)蝕刻機高出三分之一，同樣也提。使用該真空技術(shù)給企業(yè)改善精工制造也帶來強大的核心競爭力！

要計算合適的腐蝕區(qū)了解蝕刻機分為幾個部分:一個蝕刻機分為四個部分:飼料部分→腐蝕區(qū)→清洗→放電區(qū),蝕刻機進料部分、清潔區(qū)、過水斷面是固定的,價格是由腐蝕的長度決定。腐蝕區(qū)域的長度由腐蝕時間、腐蝕輸出量和工件尺寸決定。。    腐算公式如下：    腐蝕區(qū)=1 ﹛總產(chǎn)量×(板長 板距50mm)÷{機寬÷(板寬 板距50mm)｝÷工時÷60×蝕刻時間﹜÷0.8。注：此公式進料寬度÷工件寬度只取整數(shù)，小數(shù)點后面去掉;后所得數(shù)取整數(shù)后加一，小數(shù)點去掉;為得出的結(jié)果與實際生產(chǎn)更為接近，需按照此公式結(jié)果再除以0.8，因為實際生產(chǎn)時認為周轉(zhuǎn)會有時間損耗。    根據(jù)上述公式我們舉例檢驗一下,比如某蝕刻加工廠想找一家蝕刻機廠家購買一臺合適自己的蝕刻機，而不知道蝕刻機價格多少，只知道自己每天有200*300mm大小不銹鋼板需要腐蝕鏤空，產(chǎn)量為8小時需要生產(chǎn)500件，不銹鋼板的厚度為0.3mm，想買一臺節(jié)省成本的蝕刻機。    不銹鋼板的尺寸為200*300mm，所以我們購買常規(guī)700mm進料寬度的蝕刻機為合適，根據(jù)我廠掌握不銹鋼生產(chǎn)時腐蝕速率0.3mm鏤空的腐蝕時間為15分鐘，新更快。

蝕刻機可以分為化學蝕刻機及電解蝕刻機兩類。在化學蝕刻中是使用化學溶液，經(jīng)由化學反應(yīng)以達到蝕刻的目的，化學蝕刻機是將材料用化學反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。

光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準光刻，所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光來制作一個圖形(工藝);在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時""到硅片上的過程。

光柵刻畫:光學中光柵通常的作用是色散。光柵刻劃是制作光柵的方法之一。