9926 SOP-8低壓大芯片雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

9926mos管是性能很高的溝槽N溝道MOSFET，具有極高的單元密度，可為大多數(shù)小功率開(kāi)關(guān)和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供出色的RDSON和柵極電荷，9926mos管符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求，并獲得全面的功能可靠性認(rèn)證。

9926mos管先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)z超低柵極電荷z出色的Cdv / dt效應(yīng)下降z綠色器件可用，雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)管，VDS=20V、IDS=6A、PD=2W。

9926低壓mos絕對(duì)最大額定值：

灣脈沖測(cè)試：脈沖寬度≤300μs，占空比≤2％，超出“絕對(duì)最大額定值”下列出的應(yīng)力可能會(huì)對(duì)器件造成永久性損壞，這些僅是壓力等級(jí)和功能操作不暗示設(shè)備在這些或任何其他條件下超出規(guī)范操作部分所述的條件，暴露于絕對(duì)最大值延長(zhǎng)期的額定條件可能會(huì)影響設(shè)備的可靠性。

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