在含結(jié)晶硅微粉的鎂鋁耐火澆注料預(yù)制件出產(chǎn)的過程中，常常會泛起成型面上漲，致使制品分層的現(xiàn)象，這將嚴(yán)峻影響耐火制品的使用壽命和成品率。SiO2微粉有兩種:一種是用高純硅石制成的，另一種是出產(chǎn)金屬硅或硅鐵的副產(chǎn)品。但它需要有不亂的理化機(jī)能，否則將影響產(chǎn)品的使用機(jī)能。通常耐火材料中使用的硅微粉指后者，它呈中空球狀，有活性，不團(tuán)圓，填充性好，在常溫下有火山灰反應(yīng)，高溫下與Al2O3天生莫來石，均有利于澆注料強(qiáng)度的進(jìn)步。

硅微粉是一種化學(xué)和物理十分穩(wěn)定的中性無機(jī)填料，不含結(jié)晶水不參與固化反應(yīng)，不影響反應(yīng)機(jī)理。

改善粉體形狀，增加比表面積，增加了與膠粘劑的接觸面，提高了機(jī)械強(qiáng)度。硅微粉規(guī)格：400目、600目、800目、1250目、2000目、2500目、3000目、4000目、5000目、6000目、8000目、10000目我想客戶之所想，依托當(dāng)?shù)刭Y源精選天然微晶質(zhì)石英原礦經(jīng)粉碎、酸洗、研磨、烘干、分級等工藝精制而成的一種白色粉末無機(jī)礦物原料，具有高白度、高透感、分散流平性好、吸油率低，顆粒均勻，并且具有抗壓、抗拉、抗沖擊、耐磨、耐腐蝕，化學(xué)和物理性及穩(wěn)定特點。

　　一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上，然后接好連接引線和管角，再用環(huán)氧塑封料封裝而成。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近，集成電路的工作熱穩(wěn)定性就越好。單晶硅的熔點為1415℃，膨脹系數(shù)為3.5PPM，熔融石英粉的為(0.3～0.5)PPM，環(huán)氧樹脂的為(30～50)PPM，當(dāng)熔融球形石英粉以高比例加入環(huán)氧樹脂中制成塑封料時，其熱膨脹系數(shù)可調(diào)到8PPM左右，加得越多就越接近單晶硅片的，也就越好。而結(jié)晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數(shù)為60PPM，結(jié)晶石英的熔點為1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成電路中不用球形粉時，也要用熔融的角形硅微粉。這也是球形粉想用結(jié)晶粉為近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括現(xiàn)在我國還有人走這條路，從以上理論證明此種方法是不行的。即塑封料粉不能用結(jié)晶粉取代。