關于磁控濺射鍍膜機知識!

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磁控濺射鍍膜儀用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量并逸出表面，沉積在基片上。

電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與ya原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子借助于靶表面上形成的正交電磁場，被束縛在靶表面特定區(qū)域，增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現(xiàn)高速率濺射。是制備低維度，小尺寸納米材料器件的實驗手段，廣泛應用于集成電路，光子晶體，低維半導體等領域。

1、磁控濺射和電阻蒸發(fā)雙應用。本機采用可磁控濺射與電阻蒸發(fā)免拆卸轉換結構，可快速實現(xiàn)蒸發(fā)源的轉換。

2、桌面小型一體化結構。本機對真空腔體、鍍膜電源及控制系統(tǒng)進行整合設計，體積與一臺A3 打印機相仿（不包含真空機組，480x320x460mm，寬X 高X 深）

磁控濺射鍍膜機

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真空鍍膜機利用這種濺射方法在基體上沉積薄膜是1877年問世的。但是，利用這種方法沉積薄膜的初期存在著濺射速率低，成膜速度慢，并且必須在裝置上設置高壓和通入惰性氣體等一系列問題。因此，發(fā)展緩慢險些被淘汰。只是在化學活性強的金屬、難容金屬、介質以及化合物等材料上得到了少量的應用。直到20世紀70年代，由于磁控濺射及時的出現(xiàn)，才使濺射鍍膜得到了迅速的發(fā)展，開始走入了復興的道路。這是因為磁控濺射法可以通過正交電磁場對電子的約束，增加了電子與氣體分子的碰撞概率，這樣不但降低了加在陰極上的電壓，而且提高了正離子對靶陰極的濺射速率，減少了電子轟擊基體的概率，從而降低了它的溫度，即具備了;高速、低溫的兩大特點。到了80年代，雖然他的出現(xiàn)僅僅十幾年間，它就從實驗室中脫穎而出，真正地進入了工業(yè)大生產(chǎn)的領域。而且，隨著科學技術的進一步發(fā)展，近幾年來在濺射鍍膜領域中推出了離子束增強濺射，采用寬束強流離子源結合磁場調制，并與常規(guī)的二極濺射相結合組成了一種新的濺射模式。而且，又將中頻交流電源引入到磁控濺射的靶源中。這種被稱為孿生靶濺射的中頻交流磁控濺射技術，不但消除了陽極的;消失;效應。而且，也解決了陰極的問題，磁控濺射臺，從而極大地提高了磁控濺射的穩(wěn)定性。為化合物薄膜制備的工業(yè)化大生產(chǎn)提供了堅實的基礎。近年來急速鍍膜的復興與發(fā)展已經(jīng)作為人們炙手可熱的一種新興的薄膜制備技術而活躍在真空鍍膜的技術領域中。

磁控濺射

磁控濺射法是在高真空充入適量的ya氣，在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓，在鍍膜室內產(chǎn)生磁控型異常輝光放電，使ya氣發(fā)生電離。

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