什么是大功率半導體元件？其用途為何？

凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。（2）主要技術參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉換上。

技術要求

3.1整體技術指標

3.1.1 功能與測試對象

*1）功能

GBT模塊動態(tài)參數(shù)測試。

*2）測試對象

被測器件IGBT模塊動態(tài)參數(shù)。測試溫度范圍 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標

測試單元對IGBT模塊和FRD的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國際標準IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數(shù)下進行。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試部分主要材料技術要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標準測試電路） ?滿足表格9測試參數(shù)要求 ?低壓開關電源要求：Vcc=12V (針對上圖電路) ?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V

4驗收和測試 3)驗收試驗應在-10～40℃環(huán)境溫度下進行，驗收完成后測試平臺及外部組件和裝置均應安裝在買方的位置上。1開通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)。 4)測試單元發(fā)貨到買方前，賣方應進行出廠試驗。賣方出廠試驗詳細方案應提前提交買方評估，通過買方評估合格后實施方可視為有效試驗。否則，需按買方提出的修改意見重新制定出廠試驗方案，直至買方評估合格。