ICP刻蝕機的測量與控制

沈陽鵬程真空技術有限責任公司生產(chǎn)、銷售ICP刻蝕機，等離子化學氣相沉積設備，以下信息由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供。

由于等離子刻蝕工藝中的過程變量，等離子化學氣相沉積設備廠家，如刻蝕率、氣壓、溫度、等離子阻抗，等等，不易測量，因此業(yè)界常用的測量方法有：

虛擬測量（Virtual Metrology） 

等離子刻蝕過程控制示意圖

光譜測量

等離子阻抗監(jiān)控

終端探測

遠程耦合傳感

控制方法

run-to-run 控制（R2R） 

模型預測控制（MPC）

人工神經(jīng)網(wǎng)絡控制

化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用

沈陽鵬程真空技術有限責任公司生產(chǎn)、銷售化學氣相沉積，以下信息由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供。

化學氣相沉積法生產(chǎn)金屬銥高溫涂層從20世紀80年代起，NASA 開始嘗試使用金屬有機化合物化學氣相沉積法制取出使用錸基銥作為涂層的復合噴管，并獲得了成功，這時化學氣相沉積法在生產(chǎn)金屬涂層領域才有了一定程度上的突破。

NASA 使用了C15H21IrO6作為制取銥涂層的材料，并利用 C15H21IrO6的熱分解反應進行沉積。銥的沉積速度很快，等離子化學氣相沉積設備多少錢，可以達到3~20μm/h。 沉積厚度也達到了50μm，C15H21IrO6的制取效率達 70%以上。

PCVD與傳統(tǒng)CVD技術的區(qū)別

以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司生產(chǎn)化學氣相沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

PCVD與傳統(tǒng)CVD技術的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，等離子化學氣相沉積設備價格，這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激發(fā)能，從而改變了反應體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學基團，同時整個反應體系卻保持較低的溫度。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。

沈陽鵬程公司-等離子化學氣相沉積設備廠家由沈陽鵬程真空技術有限責任公司提供。沈陽鵬程真空技術有限責任公司位于沈陽市沈河區(qū)凌云街35號。在市場經(jīng)濟的浪潮中拼博和發(fā)展，目前沈陽鵬程在成型設備中享有良好的聲譽。沈陽鵬程取得全網(wǎng)商盟認證，標志著我們的服務和管理水平達到了一個新的高度。沈陽鵬程全體員工愿與各界有識之士共同發(fā)展，共創(chuàng)美好未來。